参数 最大值 单位
v
ds
排水管- 来源 电压 20 v
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 4.5v 6.5
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 4.5v 5.2 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
20
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 2.0
p
d
@T
一个
= 70°c 电源 耗散 1.3
线性 降额因素 0.016 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 12 v
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
01/13/03
参数 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
62.5 °c/w
热 电阻
www.irf.com 1
IRLMS2002
HEXFET
电源 场效应晶体管
这些 n通道 mosfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现 这
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益
提供 这 设计师 与 一个 极其 高效 设备 用于
使用 入点 蓄电池 和 荷载 管理 应用程序.
这 micro6
包装 与 其 定制 引线框架
生产 一个 hexfet
电源 场效应晶体管 与 右
ds(开启)
60%
较少 比 一个 类似 尺寸 sot-23. 这个 包装 是 理想 用于
应用程序 在哪里 已打印 电路 板 空间 是 在 一个
保费. 它's 独一无二 热 设计 和 右
ds(开启)
减少
启用 一个 电流-搬运 增加 的 近 300%
比较 至 这 sot-23.
v
DSS
= 20v
右
ds(开启)
= 0.030
Ω
描述
超 低 导通电阻
n通道 场效应晶体管
表面 安装
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
2.5v 额定
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g
一个
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Micro6
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