HEXFET
®
电源 场效应晶体管
IRL2703S
pd - 9.1360
逻辑电平 闸门 驱动器
高级 流程 技术
动态 设计验证/dt 评级
175°c 操作 温度
快 开关
完全 雪崩 额定
v
DSS
= 30v
右
ds(开启)
= 0.04
Ω
我
d
= 24a
s
d
g
11/18/96
初步
参数 最小值 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 –––– –––– 3.3
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装,稳定-州)** –––– –––– 40
热 电阻
°c/w
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
24
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
17 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
96
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 45 w
线性 降额 因素 0.30 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ±16 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
77 mJ
我
ar
雪崩 电流
14 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
4.5 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
3.5 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例)
绝对 最大值 额定值
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现 这
最低 可能 导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益,
合并 与 这 快 开关 速度 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 井
已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其 高效
设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 d
2
pak 是 一个 表面 安装 电源 包装 有能力 的
可容纳性 模具 尺码 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这
最高 电源 能力 和 这 最低 可能 开启-
电阻 入点 任何 现有 表面 安装 包装. 这
d
2
pak 是 适合 用于 高 电流 应用程序 因为 的
其 低 内部 连接 电阻 和 可以 消散 向上
至 2.0w 入点 一个 典型 表面 安装 应用程序.
描述
2
d pak
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