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资料编号:408122
资料名称:
IRL510A
文件大小: 242.06K
说明
:
介绍
:
Advanced Power MOSFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRL510A
BV
DSS
= 100 v
右
ds(开启)
= 0.44
Ω
我
d
= 5.6 一个
100
5.6
4.0
20
±
20
62
5.6
3.7
6.5
37
0.25
- 55 至 +175
300
4.1
--
62.5
--
0.5
--
1
♦
逻辑电平 闸门 驱动器
♦
雪崩 坚固耐用 技术
♦
坚固耐用 闸门 氧化物 技术
♦
下部 输入 电容
♦
改进 闸门 费用
♦
扩展 安全 操作 面积
♦
下部 泄漏 电流: 10
µ
一个 (最大值.) @ v
ds
= 100v
♦
下部 右
ds(开启)
: 0.336
Ω
(典型值.)
$GYDQFHG
3RZHU
026)(7
热 电阻
连接至壳体
案例-至-水槽
交叉点到环境
右
θ
jc
右
θ
cs
右
θ
ja
特性
最大值
UnitsSymbol
典型值
特点
绝对 最大值 额定值
漏源 电压
连续 排水管 电流 (t
c
=25
°
c)
连续 排水管 电流 (t
c
=100
°
c)
排水管 电流-脉冲
(1)
栅极到源极 电压
单独 脉冲 雪崩 能源
(2)
雪崩 电流
(1)
重复性 雪崩 能源
(1)
峰值 二极管 回收 设计验证/dt
(3)
合计 电源 耗散 (t
c
=25
°
c)
线性 降额 因素
操作 接合点 和
存储 温度 范围
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 1/8
从 案例 用于 5-秒
特性
值
UnitsSymbol
我
dm
v
gs
e?
作为
我
ar
e?
ar
设计验证/dt
我
d
p
d
t
j
, t
stg
t
l
一个
v
mJ
一个
mJ
v/ns
w
一个
v
DSS
v
至-220
1.闸门 2. 排水管 3. 来源
3
2
1
°
c
°
c
°
c/w
©1999 仙童 半导体 公司
rev. b
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