IRL540N
初步
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1495
s
d
g
v
DSS
= 100v
右
ds(开启)
= 0.044
Ω
我
d
= 30a
至-220ab
8/14/96
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 30
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 21 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
120
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 94 w
线性 降额 因素 0.63 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 16 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
310 mJ
我
ar
雪崩 电流
18 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
9.4 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
4.3 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
安装 扭矩, 6-32 或 m3 srew 10lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大值 额定值
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 1.6
右
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面 0.50 ––– °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境 ––– 62
热 电阻
描述
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个
效益, 合并 与 这 快 开关 速度 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 井 已知 用于, 提供 这 设计师
与 一个 极其 高效 和 可靠 设备 用于 使用
入点 一个 宽 品种 的应用程序.
这 至-220 包装 是 universally 首选 用于 全部
商业-工业 应用程序 在 电源 耗散
级别 至 大约 50 瓦特. 这 低 热
电阻 和 低 包装 成本 的 这 至-220
贡献 至 其 宽 验收 贯穿始终 这
行业.
逻辑电平 闸门 驱动器
高级 流程 技术
隔离 包装
高 电压 隔离 = 2.5kvrms
水槽 至 铅 爬电距离 dist. = 4.8mm
完全 雪崩 额定
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