irlr/u110a
BV
DSS
= 100 v
右
ds(开启)
= 0.44
Ω
我
d
= 4.7 一个
100
4.7
3
16
±
20
58
4.7
2.2
6.5
2.5
22
0.18
- 55 至 +150
300
5.6
50
110
--
--
--
1
♦
雪崩 坚固耐用 技术
♦
坚固耐用 闸门 氧化物 技术
♦
下部 输入 电容
♦
改进 闸门 费用
♦
扩展 安全 操作 面积
♦
下部 泄漏 电流: 10
µ
一个 (最大值.) @ v
ds
= 100v
♦
下部 右
ds(开启)
: 0.336
Ω
(典型值.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
热 电阻
连接至壳体
交叉点到环境
交叉点到环境
右
θ
jc
右
θ
ja
右
θ
ja
°
c/w
特性 最大值 UnitsSymbol 典型值
特点
*
*
当 已安装 开启 这 最小值 衬垫 尺寸 推荐 (pcb 安装).
绝对 最大值 额定值
漏源 电压
连续 排水管 电流 (t
c
=25
°
c)
连续 排水管 电流 (t
c
=100
°
c)
排水管 电流-脉冲
(1)
栅极到源极 电压
单独 脉冲 雪崩 能源
(2)
雪崩 电流
(1)
重复性 雪崩 能源
(1)
峰值 二极管 回收 设计验证/dt
(3)
合计 电源 耗散 (t
一个
=25
°
c)
合计 电源 耗散 (t
c
=25
°
c)
线性 降额 因素
操作 接合点 和
存储 温度 范围
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 1/8
从 案例 用于 5-秒
特性 值 UnitsSymbol
我
dm
v
gs
e?
作为
我
ar
e?
ar
设计验证/dt
p
d
我
d
t
j
, t
stg
t
l
一个
v
mJ
一个
mJ
v/ns
w
w
w/
°
c
一个
°
c
v
DSS
v
*
d-pak
1. 闸门 2. 排水管 3. 来源
1
2
3
我-pak
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2
©1999 仙童 半导体 公司
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