ISSI
®
IS61LV256
综合 硅 解决方案, 公司
2-1
rev. f 0296
SR81995LV61
issi 储备金 这 右侧 至 制造 变更 至 其 产品 在 任何 时间 无 通知 入点 订单 至 改善 设计 和 供应 这 最好 可能 产品. 我们 假设 否 责任 用于 任何 错误 哪个
将 出现 入点 这个 出版物. © 版权 1996, 综合 硅 解决方案, 公司
特点
• 高速 访问权限 时间: 12, 15, 20, 25 ns
• 自动 掉电 当 芯片 是 取消选择
• cmos 低 电源 操作
— 345 mw (最大值.) 操作
— 7 mw (最大值.) cmos 备用
• ttl 兼容 接口 级别
• 单独 3.3v 电源 供应
• 完全 静态 操作: 否 时钟 或 刷新
必填项
• 三态 产出
描述
这
ISSI
is61lv256 是 一个 很 高-速度, 低 电源,
32,768-字 由 8-有点 静态 ram. 它 是 预制 使用
ISSI
's
高性能 cmos 技术. 这个 高度 可靠 专业版-
cess 耦合 与 创新 电路 设计 技术, 收益率
访问权限 次 作为 快 作为 12 ns 最大值.
当
ce
是 高 (取消选择), 这 设备 假设 一个 备用
模式 在 哪个 这 电源 耗散 是 减少 至
50
µ
w (典型) 与 cmos 输入 级别.
容易 记忆 扩展 是 提供 由 使用 一个 活动 低
芯片 启用 (
ce
). 这 活动 低 写 启用 (
我们
) 控件
两者都有 写作 和 阅读 的 这 记忆.
这 is61lv256 是 可用 入点 这 电子元件工业联合会 标准 28-管脚,
300-密耳 倾角 和 soj, 加号 这 450-密耳 tsop 包装.
IS61LV256
32k x 8 低 电压 cmos 静态 ram
二月 1996
ISSI
®
功能 块 图表
a0-a14
ce
oe
我们
256 x 1024
记忆 阵列
解码器
色谱柱 我/o
控制
电路
地
VCC
我/o
数据
电路
我/o0-我/o7
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