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符号 测试一下 条件 最大值 额定值
v
DSS
t
j
= 25
°
c 至 150
°
c 500 v
v
DGR
t
j
= 25
°
c 至 150
°
c; 右
gs
= 1 m
Ω
500 v
v
gs
连续
±
30 v
v
GSM
瞬态
±
40 v
我
D25
t
c
= 25
°
C80A
我
dm
t
c
= 25
°
c, 脉冲 宽度 有限 由 t
JM
320 一个
我
ar
t
c
= 25
°
C80A
e?
ar
t
c
= 25
°
C60mJ
e?
作为
t
c
= 25
°
c 5.0 j
设计验证/dt
我
s
≤
我
dm
, di/dt
≤
100 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
DSS
20 v/ns
t
j
≤
150
°
c, 右
g
= 2
Ω
p
d
t
c
= 25
°
c 890 w
t
j
-55 ... +150
°
c
t
JM
150
°
c
t
stg
-55 ... +150
°
c
t
l
1.6 mm (0.063 入点.) 从 案例 用于 10 s 300
°
c
符号 测试一下 条件 特性 数值
(t
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
v
DSS
v
gs
= 0 v, 我
d
= 1ma 500 v
v
gs(th)
v
ds
= v
gs
, 我
d
= 8ma 3.0 5.0 v
我
GSS
v
gs
=
±
20 v, v
ds
= 0
±
200 不适用
我
DSS
v
ds
= v
DSS
t
j
= 25
°
c 100
µ
一个
v
gs
= 0 v t
j
= 125
°
c5 ma
右
ds(开启)
v
gs
= 10 v, 我
d
= 0.5 • 我
D25
55 m
Ω
备注 1
ds98958 (10/02)
加号 264
tm
(ixfb)
g = 闸门 d=排水管
s = 来源 选项卡 = 排水管
s
g
d
(选项卡)
HiPerFET
tm
电源 mosfets
q-类
n通道 增强功能 模式
雪崩 额定,
低 q
g
,
低 内在的 右
g
高 设计验证/dt,
低 t
rr
特点
●
双 金属 流程 用于 低 闸门
电阻
●
松开 归纳 开关 (uis)
额定
●
低 包装 电感
- 容易 至 驱动器 和 至 保护
●
快 内在的 整流器
应用程序
●
直流-直流 转换器
●
切换模式 和 谐振模式
电源 供应品, >500khz 开关
●
直流 斩波器
●
脉冲 世代
●
激光 驱动程序
优点
●
加号 264
tm
包装 用于 夹子 或 弹簧
安装
●
空间 储蓄
●
高 电源 密度
ixfb 80n50q
2
v
DSS
= 500 v
我
D25
= 80 一个
右
ds(开启)
= 55 m
ΩΩ
ΩΩ
Ω
t
rr
≤ ≤
≤ ≤
≤
250 ns
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