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符号 测试一下 条件 最大值 额定值
v
DSS
t
j
= 25
°
c 至 150
°
c 500 v
v
DGR
t
j
= 25
°
c 至 150
°
c; 右
gs
= 1 m
Ω
500 v
v
gs
连续
±
20 v
v
GSM
瞬态
±
30 v
我
D25
t
c
= 25
°
c 21N50 21 一个
24N50 24 一个
我
dm
t
c
= 25
°
c, 脉冲 宽度 有限 由 t
JM
21N50 84 一个
24N50 96 一个
p
d
t
c
= 25
°
c 300 w
t
j
-55 ... +150
°
c
t
JM
150
°
c
t
stg
-55 ... +150
°
c
m
d
安装 扭矩 1.13/10 nm/磅.入点.
重量
至-204 = 18 g, 至-247 = 6 g
最大值 铅 温度 用于 焊接 300
°
c
1.6 mm (0.062 入点.) 从 案例 用于 10 s
至-247 广告 (ixth)
MegaMOS
tm
场效应晶体管
n通道 增强功能 模式
至-204 不良事件 (ixtm)
v
DSS
我
D25
右
ds(开启)
ixth / ixtm 21n50 500 v 21一个 0.25
ΩΩ
ΩΩ
Ω
ixth / ixtm 24n50 500 v 24一个 0.23
ΩΩ
ΩΩ
Ω
g = 闸门, d = 排水管,
s = 来源, 选项卡 = 排水管
d
g
符号 测试一下 条件 特性 数值
(t
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
v
DSS
v
gs
= 0 v, 我
d
= 250
µ
一个 500 v
v
gs(th)
v
ds
= v
gs
, 我
d
= 250
µ
A24V
我
GSS
v
gs
=
±
20 v
直流
, v
ds
= 0
±
100 不适用
我
DSS
v
ds
= 0.8 • v
DSS
t
j
= 25
°
c 200
µ
一个
v
gs
= 0 v t
j
= 125
°
C1mA
右
ds(开启)
v
gs
= 10 v, 我
d
= 0.5 我
D25
21N50 0.25
Ω
24N50 0.23
Ω
脉冲 测试一下, t
≤
300
µ
s, 职责 循环 d
≤
2 %
特点
l
国际 标准 软件包
l
低 右
ds (开启)
HDMOS
tm
流程
l
坚固耐用 多晶硅 闸门 细胞 结构
l
低 包装 电感 (&指示灯; 5 nh)
- 容易 至 驱动器 和 至 保护
l
快 开关 次
应用程序
l
开关模式 和 谐振模式
电源 供应品
l
电机 控件
l
不间断 电源 供应品 (ups)
l
直流 斩波器
优点
l
容易 至 安装 与 1 螺钉 (至-247)
(隔离 安装 螺钉 孔)
l
空间 储蓄
l
高 电源 密度
91536f(5/97)
d (选项卡)
ixys 储备金 这 右侧 至 变更 限制, 测试一下 条件, 和 尺寸.
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