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资料编号:413597
 
资料名称:IXTH24P20
 
文件大小: 79.34K
   
说明
 
介绍:
Standard Power MOSFET
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号IXTH24P20的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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至-247 广告
g = 闸门, d = 排水管,
s = 来源, 选项卡 = 排水管
d (选项卡)
符号 测试一下 条件 最大值额定值
v
DSS
t
j
=25
°
c150
°
c -200 v
v
DGR
t
j
= 25
°
c 至150
°
c; 右
gs
= 1 m
-200 v
v
gs
连续
±
20 v
v
GSM
瞬态
±
30 v
D25
t
c
= 25
°
c -24 一个
dm
t
c
= 25
°
c, 脉冲 宽度 有限 由 t
j
-96 一个
ar
t
c
= 25
°
c -24 一个
e?
ar
t
c
= 25
°
C30mJ
p
d
t
c
= 25
°
c 300 w
t
j
-55 ... +150
°
c
t
JM
150
°
c
t
stg
-55 ... +150
°
c
t
l
最大值 铅 温度 用于 焊接 300
°
c
1.6 mm (0.062 入点.) 从 案例 用于 10 s
m
d
安装 扭矩 1.13/10 nm/磅.入点.
重量
6g
符号 测试一下 条件 特性 数值
(t
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
v
DSS
v
gs
= 0 v, 我
d
= -250
µ
一个 -200 v
v
gs(th)
v
ds
= v
gs
, 我
d
= -250
µ
一个 -3.0 -5.0 v
GSS
v
gs
=
±
20 v
直流
, v
ds
= 0
±
100 不适用
DSS
v
ds
= 0.8v
DSS
t
j
= 25
°
c -25
µ
一个
v
gs
= 0 v t
j
= 125
°
c-1ma
ds(开启)
v
gs
= -10 v, 我
d
= 0.5 我
D25
0.15
特点
国际 标准 包装
电子元件工业联合会 至-247 广告
ds (开启)
HDMOS
tm
流程
坚固耐用 多晶硅 闸门 细胞 结构
松开 归纳 开关 (uis)
额定
低 包装 电感 (&指示灯;5 nh)
- 容易 至 驱动器 和 至 保护
应用程序
高 侧面 开关
推拉 放大器
直流 斩波器
自动 测试一下 设备
优点
容易 至 安装 与 1 螺钉
(隔离 安装 螺钉 孔)
空间 储蓄
高 电源 密度
98769B (2/02)
p沟道 增强功能 模式
雪崩 额定
标准 电源 场效应晶体管
IXTH 24P20
v
DSS
= 200 v
D25
= 24 一个
ds(开启)
= 0.15
ΩΩ
ΩΩ
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