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1998
mos 地方 效应 晶体管
2SJ492
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p-频道 电源 mos 场效应晶体管
工业的 使用
数据 薄板
文档 非. d11264ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 12月 1998 ns cp(k)
打印 在 日本
描述
这个 产品 是 p-频道 mos 地方 效应 晶体管
设计 为 直流/直流 转换器 和 发动机/lamp 驱动器
电路.
特性
•
低 在-状态 阻抗
R
ds(在)1
= 100 m
Ω
(最大值.) (v
GS
= –10 v, i
D
= –10 一个)
R
ds(在)2
= 185 m
Ω
(最大值.) (v
GS
= –4 v, i
D
= –10 一个)
•
低 c
iss
: c
iss
= 1210 pf (典型值.)
•
建造-在 门 保护 二极管
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25°c)
流 至 源 电压 (v
GS
= 0 v) V
DSS
–60 V
门 至 源 电压 (v
DS
= 0 v) V
gss(交流)
#
20
V
门 至 源 电压 (v
DS
= 0 v)
Note1
V
gss(直流)
–20, 0 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
#
20
一个
流 电流 (脉冲波)
Note2
I
d(脉冲波)
#
80
一个
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25°c) P
T
1.5 W
总的 电源 消耗 (t
C
= 25°c) P
T
70 W
频道 温度 T
ch
150 °C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 °C
单独的 avalanche 电流
Note3
I
作
–20 一个
单独的 avalanche 活力
Note3
E
作
40 mJ
注释 1.
f = 20
khz, 职责 循环
≤
10% (+side)
2.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1 %
3.
开始 t
ch
= 25
°c, r
一个
= 25
Ω
, v
GS
= –20
V
→
0
热的 阻抗
频道 至 情况 R
th(ch-c)
1.79 °c/w
频道 至 包围的 R
th(ch-一个)
83.3 °c/w
订货 信息
部分 号码 包装
2SJ492 至-220ab
2sj492-s 至-262
2sj492-zj 至-263
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