©2000 仙童 半导体 国际 rev. 一个, 二月 2000
KSD2012
npn 外延 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
电气 特性
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
h
铁
分类
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压 60 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 60 v
v
EBO
发射器-底座 电压 7 v
我
c
收集器 电流 3 一个
我
B
底座 电流 0.3 一个
p
c
收集器 电源 耗散 (t
c
=25
°
c) 25 w
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 - 55 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CEO
集电极-发射极 击穿 电压 我
c
= 50ma, 我
B
= 0 60 v
我
CBO
收集器 截止 电流 v
cb
= 60v, 我
e?
= 0 100
µ
一个
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
= 7v, 我
c
= 0 10
µ
一个
h
FE1
h
FE2
直流 电流 增益 v
ce
= 5v, 我
c
= 0.5a
v
ce
= 5v, 我
c
= 3a
100
20
320
v
ce
(sat) 集电极-发射极 饱和度 电压 我
c
= 2a, 我
B
= 0.2a 0.4 1 v
v
是
(开启) 基极-发射极 开启 电压 v
ce
= 5v, 我
c
= 0.5a 0.7 1 v
f
t
电流 增益 带宽 产品 v
ce
= 5v, 我
c
= 0.5a 3 MHz
分类 y g
h
FE1
100 ~ 200 150 ~ 320
KSD2012
低 频率 电源 放大器
• 补码 至 ksb1366
1
1.底座 2.收集器 3.发射器
至-220f
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