©2001 仙童 半导体 公司 rev. a1, january 2001
KSE13005F
npn 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c 除非 否则 已注明
电气 特性
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
* 脉冲 测试一下: pw
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压 700 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 400 v
v
EBO
发射器-底座 电压 9 v
我
c
收集器 电流 (直流) 4 一个
我
cp
收集器 电流 (脉冲) 8 一个
我
B
底座 电流 2 一个
p
c
收集器 耗散 (t
c
=25
°
c) 30 w
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 - 65 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CEO
收集器-底座 击穿 电压 我
c
= 10ma, 我
B
= 0 400 v
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
= 9v, 我
c
= 0 1 ma
h
铁
*dc 电流 增益 v
ce
= 5v, 我
c
= 1a
v
ce
= 5v, 我
c
= 2a
10
8
60
40
v
ce
(sat) *collector-发射器 饱和度 电压 我
c
= 1a, 我
B
= 0.2a
我
c
= 2a, 我
B
= 0.5a
我
c
= 4a, 我
B
= 1a
0.5
0.6
1
v
v
v
v
是
(sat) *base-发射器 饱和度 电压
我
c
= 1a, 我
B
= 0.2a
我
c
= 2a, 我
B
= 0.5a
1.2
1.6
v
v
c
ob
输出 电容 v
cb
= 10v , f = 0.1mhz 65 pf
f
t
电流 增益 带宽 产品 v
ce
= 10v, 我
c
= 0.5a 4 MHz
t
开启
转弯 开启 时间 v
抄送
=125v, 我
c
= 2a
我
B1
= - 我
B2
= 0.4a
右
l
= 125
Ω
0.8
µ
s
t
stg
存储 时间 4
µ
s
t
f
坠落 时间 0.9
µ
s
KSE13005F
高 电压 开关 模式 应用程序
• 高 速度 开关
• 适合 用于 开关 调节器 和 电机 控制
1
1.底座 2.收集器 3.发射器
至-220f
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