©2002 仙童 半导体 公司 rev. a4, october 2002
KSH350
pnp 外延 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
电气 特性
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
* 脉冲 测试一下: pw
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压 - 300 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 - 300 v
v
EBO
发射器-底座 电压 - 3 v
我
c
收集器 电流 (直流) - 0.5 一个
我
cp
收集器 电流 (脉冲) - 0.75 一个
p
c
收集器 耗散 (t
c
= 25
°
c) 15 w
收集器 耗散 (t
一个
= 25
°
c) 1.56 w
t
j
接合点 温度 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 最大值 单位
v
CEO
(sus) * 集电极-发射极 维持 电压 我
c
= -1ma, 我
B
= 0 -300 v
我
CEO
收集器 截止 电流 v
cb
= -300v, 我
e?
=0 -0.1 ma
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
= -3v, 我
c
= 0 -0.1 ma
h
铁
* 直流 电流 增益 v
ce
= -10v, 我
c
= -50ma 30 240
KSH350
高 电压 电源 晶体管
d-pak 用于 表面 安装 应用程序
• 铅 成型 用于 表面 安装 应用程序 (否 后缀)
• 直线 铅 (我-pak, “- i” 后缀)
1.底座 2.收集器 3.发射器
d-pak 我-pak
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