0.038 (.97) nom
45°
0.046 (1.16)
0.036 (0.92)
13
0.030 (0.76)
最大值
0.195 (4.96)
0.178 (4.52)
0.230 (5.84)
0.209 (5.31)
0.500 (12.7)
最小值
Ø0.021 (0.53) 3x
0.210 (5.34)
最大值
2
0.050 (1.27)
0.100 (2.54) dia.
0.100 (2.54)
包装 维度
特性
• hermetically sealed 包装
• 宽 reception 角度
• 设备 能 是 使用 作 一个 photodiode 用 使用 这 集电级 和 根基 leads.
注释:
1. 维度 为 所有 绘画 是 在 英寸 (mm).
2. 容忍 的 ± .010 (.25) 在 所有 非-名义上的 维度
除非 否则 指定.
密封的 硅 phototransistor
描述
这 l14n1/l14n2 是 硅 phototransistors 挂载 在 一个 宽 角度, 至-18 包装.
2001 仙童 半导体 公司
DS300308 6/01/01 1 的 4 www.fairchildsemi.com
1
发射级
(连接 至 情况)
集电级
3
根基 2
图式
L14N1 L14N2