lf155/lf156/lf256/lf257/lf355/lf356/lf357
JFET 输入 运营 放大器
概述 描述
这些 是 这 第一 单片 JFET 输入 运营 ampli-
fiers 至 合并 井 匹配, 高 电压 JFETs 开启 这
相同 芯片 与 标准 双极性 晶体管 (bi-场效应晶体管
™
技术-
nology). 这些 放大器 功能 低 输入 偏差 和 偏移量
电流/低 偏移量 电压 和 偏移量 电压 漂移, 耦合
与 偏移量 调整 哪个 是否 不 降级 漂移 或
共模 拒收. 这 设备 是 也 设计 用于
高 回转 费率, 宽 带宽, 极其 快 沉降 时间,
低 电压 和 电流 噪声 和 一个 低 1/f 噪声 转角.
特点
优点
n
更换 昂贵的 混合动力 和 模块 场效应晶体管 op 安培数
n
坚固耐用 JFETs 允许 吹气-出点 免费 搬运 比较
与 场效应晶体管 输入 设备
n
优秀 用于 低 噪声 应用程序 使用 要么 高 或
低 来源 阻抗 — 很 低 1/f 转角
n
偏移量 调整 是否 不 降级 漂移 或 共模
拒收 作为 入点 大多数 单片 放大器
n
新建 输出 舞台 允许 使用 的 大型 电容式 荷载
(5,000 pf) 无 稳定性 问题
n
内部 补偿 和 大型 差速器 输入 电压
能力
应用程序
n
精度 高 速度 积分器
n
快 d/一个 和 一个/d 转换器
n
高 阻抗 缓冲区
n
宽带, 低 噪声, 低 漂移 放大器
n
对数 放大器
n
Photocell 放大器
n
样品 和 保持 电路
普通 特点
n
低 输入 偏差 电流: 30pA
n
低 输入 偏移量 电流: 3pA
n
高 输入 阻抗: 10
12
Ω
n
低 输入 噪声 电流:
n
高 共模 拒收 比率: 100 db
n
大型 直流 电压 增益: 106 db
不常见 特点
lf155/
LF355
lf156/
lf256/
LF356
lf257/
LF357
(一个
v
=5)
单位
j
极其
快 沉降
时间 至
0.01%
4 1.5 1.5 µs
j
快 回转
费率
5 12 50 v/µs
j
宽 增益
带宽
2.5 5 20 MHz
j
低 输入
噪声
电压
20 12 12
简化 原理图
00564601
*
3pF 入点 LF357 系列.
bi-场效应晶体管
™
, bi-场效应晶体管 二
™
是 商标 的 国家 半导体 公司.
12月 2001
lf155/lf156/lf256/lf257/lf355/lf356/lf357 JFET 输入 运营 放大器
© 2001 国家 半导体 公司 DS005646 www.国家.com
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