LH5PV8512
CMOs 4m (512K
×
8) 伪-静态 ram
特色es
••
524,288words
×
8 有点 organization
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ce access 时间(t
CEA
): 120 ns (最大值.)
••
循环时间 (t
rc
): 190 ns (最小.)
••
动力右 补充ly:
+3.0v
±
0.15 v (op正在计算)
+2.2 v 至 +3.15v (data retention)
••
动力右 consumption(最大值.):
126mw (operating)
95
µ
w (斯坦dby = cmos input level)
221
µ
w (自我-刷新 = cmos input level)
••
可用 用于 一个ddress refresh,
自动-refresh, 和 self-refresh 模式s
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2,048刷新 循环s/32 ms
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address 非-multip乐
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不 de标志ed 或 右心房泰德 作为 rad组合
硬ened
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packa通用电气:
32-pin, 525-密耳 sop
••
packa通用电气 马特利铝: plastic
••
潜艇trate materi铝: p-典型值e?silicon
••
流程: silicon-g吃了 cmos
••
操作g 蛋彩画ture: 0 - 70
°
c
descRIPTION
这 lh5PV8512 是一个 4m有点 伪-静态 右心房m 与
一个 524,288 字
×
8 bit organizati开启. 它 是 预制
using 硅栅 cmos 流程 technology.
一个 psr上午 用途 片上 刷新电路试试看 with一个 博士上午
记忆 细胞 用于伪-静态操作 哪个 elimi-
nates 分机胸骨cl锁定inputs,while?having这 相同
pinout 作为 我ndustry standard 高级ams. 此外, 到期 至
这 功能 similarities 之间 psrams 和
高级ams, 现有512K
×
8 sram 插座 可以 是 已填充
与 这LH5PV8512N与 李ttle 或 否 变更. 这
优势 是这 成本saving 雷亚尔已形成with 这 lower
成本 psram.
这 lh5PV8512 有 这 ab能力 至 填充 这 间隙 是tween
博士上午 和 高级上午 由 offering 低 成本,低 采购订单wer
备用 和 simple 接口
.
管脚 连接
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oe/rfsh
5pv8512-1
32-管脚 sop
一个
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一个
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图 1. 管脚 连接
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