LH52D1000_集成电路资料查询网

LH52D1000
cmos 1m (128K
×
8) 站位tic右心房m
特色es
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访问权限 时间:  85 ns (最大值.),
100 ns (最大值.)
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current consumption:
ope评级:  40ma(最大值.)
6 ma (最大值.) (t
rc
, t
WC
= 1
µ
s)
斯坦dby:  45
µ
一个 (最大值.)
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数据 retention:
1.0
µ
一个 (最大值. v
CCDR
= 3 v, t
一个
= 25
°
c)
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唱乐 p欠右 supply:2.7 v 至 3.6 v
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操作g 蛋彩画ture:  -40
°
c至 +85
°
c
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完全-静态 operation
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三态 输出
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不 de标志ed 或 右心房ted 作为 rad组合
硬ened
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packages:
32-pin 8
×
20mm
2
TSOP
32-pin 8
×
13.4mm
2
STSOP
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n-类型 散装 sil图标
描述
这 lh52d1000 是 一个 静态 右心房m 有组织的 作为
131,072
×
8 bits 哪个 提供es 低-power 备用
模式.  它是 预制 使用 硅栅 cmos 流程
技术gy.
管脚 连接
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32-管脚 tsop
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图 1.  管脚 con连接 用于 tsop
和 stsop packages
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LH52D1000 cmos 1m (128K × 8) 站位tic右心房m 特色es •• 访问权限时间: 85 ns (最大值.), 100 ns (最大值.) •• current consumption: ope评级: 40ma(最大值.) 6 ma (最大值.) (t rc , t WC = 1 µ s) 斯坦dby: 45 µ 一个 (最大值.) •• 数据 retention: 1.0 µ 一个 (最大值. v CCDR = 3 v, t 一个 = 25 ° c) •• 唱乐 p欠右 supply:2.7 v 至 3.6 v •• 操作g 蛋彩画ture: -40 ° c至 +85 ° c •• 完全-静态 operation •• 三态输出 •• 不 de标志ed 或右心房ted 作为 rad组合硬ened •• packages: 32-pin 8 × 20mm 2 TSOP 32-pin 8 × 13.4mm 2 STSOP •• n-类型散装 sil图标描述这 lh52d1000 是一个静态右心房m 有组织的作为 131,072 × 8 bits 哪个提供es 低-power 备用模式. 它是预制使用硅栅 cmos 流程技术gy. 管脚连接 2 3 4 5 6 9 10 7 8 11 1 32 31 30 29 26 25 28 27 24 23 oe 一个 10 32-管脚 tsop 32-管脚 stsop 12 15 13 14 21 20 22 19 18 一个 8 ce 2 一个 15 我/o 3 我/o 2 一个 1 我/o 8 ce 1 我/o 6 我/o 7 我/o 5 我/o 4 一个 0 一个 2 52d1000s-1 v 抄送一个 16 一个 12 一个 7 一个 6 一个 5 16 17 一个 4 我们 nc 一个 3 地顶部查看一个 9 一个 11 一个 13 一个 14 我/o 1 图 1. 管脚 con连接用于 tsop 和 stsop packages 1

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