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资料编号:456357
 
资料名称:LT1001A
 
文件大小: 13.17K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
 
1
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
一个 d v 一个 n c e? d s e? m 我 c o n d u c t o 右, 我 n c.
rev. 一个
7525 ethel avenue
北 hollyw伍德, ca 91605
(818) 982-1202
传真 (818) 765-3004 1/1
规格 是 主题 至 变更 无 通知.
特性
t
一个
= 25 °c
符号
测试一下 条件 最小值 典型 最大值 单位
BV
CEO
c
v
BV
CBO
c
v
BV
EBO
e?
= 100
µ
一个
3.5
v
CBO
v
cb
= 10 v 50
µ
µµ
µ
一个
h
v
ce
= 5.0 v 我
c
---
v
ce(sat)
c
= 50 ma 我
B
mv
f
t
v
ce
= 14 v 我
c
= 90 ma f = 300 mhz 3.0
GHz
c
cb
v
cb
= 10 v f = 1.0 mhz 1.6
pf
nf
v
ce
= 8.0 v 我
c
= 50 ma f = 300 mhz 2.5
db
g
Umax
v
ce
= 14 v 我
c
= 90 ma f = 300 mhz 15
db
npn 硅 高 频率 晶体管
LT1001A
描述:
ASILT1001A
是 一个 高
频率 晶体管 设计 用于
高 增益 低 噪声 catv, 和
matv 放大器 应用程序.
最大值 额定值
c
200 ma
v
ce
20 v
p
diss
2.5 w@ t
c
= 50
o
c
t
j
-65 °c 至 +200 °c
t
stg
-65 °c 至 +200 °c
θ
θθ
θ
jc
70 °c/w
包装 风格 至-39
Ø 一个
Ø d
45°
cb
f
e?
g
h
最小值
英寸 / mm
.029 / 0.740
.335 / 8.510
.200 / 5.080
.028 / 0.720
.305 / 7.750
.240 / 6.100
B
c
d
e?
f
g
一个
最大值
.034 / 0.860
.335 / 8.500
.260 / 6.600
.370 / 9.370
英寸 / mm
.045 / 1.140
.500 / 12.700
h
.016 / 0.407 .020 / 0.508
昏暗
1 = 发射器 2 = 底座
3 = 收集器
(案例)
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