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初步 数据
六月 2000
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M25P10
1 mbit 低 电压 已分页 闪光灯 记忆
与 20 mhz 串行 spi 总线 接口
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1 mbit 已分页 闪光灯 记忆
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128 字节 第页 程序 入点 3 ms 典型
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256 kbit 部门 erase 入点 1 s 典型
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散装 擦除 入点 2 s 典型
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单独 2.7 v 至 3.6 v 供应 电压
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spi 总线 兼容 串行 接口
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20 mhz 时钟 费率 可用
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支架 正 时钟 spi 模式
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深 电源 向下 模式 (1 µa 典型)
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电子 签名
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10,000 擦除/prog 循环次数 按 部门
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20 年 数据 保留
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–40 至 85°c 温度 范围
描述
这 m25p10 是 一个 1 mbit 已分页 闪光灯 记忆
预制 与 意法半导体 高
耐力 cmos 技术. 这 记忆 是
已访问 由 一个 简单 spi 总线 兼容 串行
接口. 这 总线 信号 是 一个 串行 时钟 输入
(c), 一个 串行 数据 输入 (d) 和 一个 串行 数据 输出
(q).
这 设备 已连接 至 这 总线 是 已选择 当
这 芯片 选择 输入 (s
) 去 低. 数据 是 时钟
入点 期间 这 低 至 高 过渡 的 时钟 c, 数据
图 1. 逻辑 图表
AI03744
s
v
抄送
M25P10
保持
v
ss
w
q
c
d
表 1. 信号 姓名
c 串行 时钟
d 串行 数据 输入
q 串行 数据 输出
s
芯片 选择
w
写 保护
保持
保持
v
抄送
供应 电压
v
ss
接地
so8 (锰)
150 密耳 宽度
8
1
so8 (mw)
200 密耳 宽度
8
1
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