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资料编号:459495
 
资料名称:M27512-25F6
 
文件大小: 90.27K
   
说明
 
介绍:
NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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不 用于 新建 设计
十一月 2000
这个 是 信息 开启 一个 产品 仍然 入点 生产 但是 不 推荐 用于 新建 设计.
M27512
nmos 512 kbit (64kb x 8) uv 非易失存储器
快 访问权限 时间: 200ns
扩展 温度 范围
单独 5v 供应 电压
低 备用 电流: 40ma 最大值
ttl 兼容 期间 阅读 和
程序
快 编程 算法
电子 签名
编程 电压: 12v
描述
电气 可编程 记忆 非易失存储器. 它 是
有组织的 作为 65,536 字词 由 8 比特.
这 m27512 是 已安置 入点 一个 28 管脚 窗口 ce-
ramic 玻璃料密封 双列直插式 包装. 这 trans-
父母 盖子 允许 这 用户 至 暴露 这 芯片 至
紫外线 灯光 至 擦除 这 有点 图案. 一个 新建 pat-
tern 可以 然后 是 书面 至 这 设备 由 以下内容
这 编程 程序.
图 1. 逻辑 图表
AI00765B
16
q0-q7
v
抄送
M27512
GV
pp
v
ss
8
a0-a15
e?
1
28
fdip28w (f)
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