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产品 预告(展)
march 2001
这个 是 初步的 信息 在 一个 新 产品 now 在 开发. 详细信息 是 主题 至 改变 没有 注意.
M59DR016C
M59DR016D
16 mbit (1mb x16, 双 bank, 页)
1.8v 供应 flash 记忆
■
供应 电压
–V
DD
= v
DDQ
= 1.65v 至 2.2v 为 程序,
擦掉 和 读
–V
PP
= 12v 为 快 程序 (optional)
■
异步的 页 模式 读
– 页 宽度: 4 words
– 页 进入: 35ns
– 随机的 进入: 100ns
■
程序编制 时间
– 10µs 用 文字 典型
– 翻倍 文字 程序编制 选项
■
记忆 blocks
– 双 bank 记忆 排列: 4 mbit - 12 mbit
– 参数 blocks (顶 或者 bottom location)
■
双 bank 行动
– 读 在里面 一个 bank 当 程序 或者
擦掉 在里面 这 其它
– 非 延迟 在 读 和 写 行动
■
块 保护/unprotection
– 所有 blocks 保护 在 电源 向上
– 任何 结合体 的 blocks 能 是 保护
■
一般 flash 接口 (cfi)
■
64 位 安全 代号
■
擦掉 suspend 和 重新开始 模式
■
100,000 程序/擦掉 循环 每
块
■
电子的 signature
– 生产者 代号: 20h
– 顶 设备 代号, m59dr016c:2293h
– bottom 设备 代号, m59dr016d: 2294h
BGA
tfbga48 (zb)
8 x 6 balls 排列
图示 1. 逻辑 图解
AI04106
20
a0-a19
W
dq0-dq15
V
DD
M59DR016C
M59DR016D
E
V
SS
16
G
RP
WP
V
DDQ
V
PP
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