edo ( hyper 页 模式 ) 4194304-位 ( 1048576-文字 用 4-位 ) 动态 内存
m5m44405cj,tp-5,-6,-7,-5s,-6s,-7s
mitsubishi lsis
m5m44405cj,tp-5,-5s:下面 开发
描述
这个 是 一个 家族 的 1048576-文字 用 4-位 动态 rams, fabricated
和 这 高 效能 cmos 处理,和 是 完美的 为 大-
capacity 记忆 系统 在哪里 高 速, 低 电源 消耗,
和 低 costs 是 essential.
这 使用 的 quadruple-layer polysilicon 处理 联合的 和
silicide 技术 和 一个 单独的-晶体管 动态 存储 stacked
电容 cell 提供 高 电路 密度 在 减少 costs.
多路复用 地址 输入 准许 两个都 一个 减少 在 管脚 和 一个
增加 在 系统 densities.
自 或者 扩展 refresh 电流 是 低 足够的 为 电池 后面的-向上
应用.
应用
主要的 记忆 单位 为 计算机, microcomputer 记忆, refresh
记忆 为 crt, 框架 缓存区 记忆 为 crt
1
edo ( hyper 页 模式 ) 4194304-位 ( 1048576-文字 用 4-位 ) 动态 内存
m5m44405cj,tp-5,-6,-7,-5s,-6s,-7s
mitsubishi lsis
标准 26 管脚 soj, 26 管脚 tsop(ii)
单独的 5v±10%supply
低 保卫-用 电源 消耗
cmos lnput 水平的 5.5mw (最大值) *
cmos lnput 水平的 550µw (最大值)
低 运行 电源 消耗
m5m44405cxx-5,-5s 687.5mw (最大值)
m5m44405cxx-6,-6s 550.0mw (最大值)
m5m44405cxx-7,-7s 467.5mw (最大值)
自 refresh capabiility *
自 refresh 电流 120µa(最大值)
扩展 refresh 能力 *
扩展 refresh 电流 120µa(最大值)
hyper-页 模式 (1024-位 随机的 进入), 读-modify- write,
ras-仅有的 refresh cas 在之前 ras refresh, hidden refresh, cbr
自 refresh(-5s,-6s,-7s) 能力
early-写 模式 和 oe 和 w 至 控制 输出 缓存区 阻抗
所有 输入, 输出 ttl 兼容 和 低 电容
1024 refresh 循环 每 16.4ms (一个0~A9)
1024refresh 循环 每 128ms (一个0~A9) *
4-位 并行的 测试 模式 能力
*: 适用 至 自 refresh 版本 (m5m44405cj,tp-5s,-6s,-7s
: 选项) 仅有的
特性
xx=j,tp
m5m44405cxx-7,-7s
m5m44405cxx-6,-6s
60
70
15
20
30
35
110
130
400
350
15
20
m5m44405cxx-5,-5s
50 13 25 90 50013
CAS
进入
时间
OE
进入
时间
类型 名字
RAS
进入
时间
(最大值.ns) (最大值.ns) (最大值.ns)
地址
进入
时间
(最小值.ns)
循环
时间
电源
dissipa-
tion
(典型值.mw)(最大值.ns)
管脚 描述
一个0~A9
DQ1~DQ4
RAS
W
Vcc
Vss
CAS
OE
管脚 名字 函数
地址 输入
数据 输入 / 输出
行 地址 strobe 输入
column 地址 strobe 输入
写 控制 输入
电源 供应 (+5v)
地面 (0v)
输出 使能 输入
管脚 配置 (顶 视图)
外形 26p0j (300mil soj)
1
9
2
3
4
5
11
10
12
13
26
25
24
23
22
16
18
17
15
14
DQ1
DQ2
一个0
一个1
一个2
一个3
VCC
VSS
DQ4
DQ3
CAS
OE
一个9
一个8
一个7
一个6
一个5
一个4
W
RAS
外形 26p3z-e (300mil tsop)
1
9
2
3
4
5
11
10
12
13
26
25
24
23
22
16
18
17
15
14
DQ1
DQ2
一个0
一个1
一个2
一个3
VCC
VSS
DQ4
DQ3
CAS
OE
一个9
一个8
一个7
一个6
一个5
一个4
W
RAS
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