edo (hyper 页 模式) 4194304-位 (262144-文字 用 16-bit) 动态 内存
m5m44265cj,tp-5,-6,-7,-5s,-6s,-7s
mitsubishi lsis
1
描述
特性
标准 40pin soj, 44 管脚 tsop (ii)
单独的 5v±10% 供应
低 保卫-用 电源 消耗
cmos 输入 水平的 5.5mw (最大值)
cmos 输入 水平的 550µw (最大值)*
运行 电源 消耗
m5m44265cxx-5,-5s 688mw (最大值)
m5m44265cxx-6,-6s 605mw (最大值)
m5m44265cxx-7,-7s 523mw (最大值)
自 refresh capability*
自 refresh 电流 150µa (最大值)
扩展 refresh 能力
扩展 refresh 电流 150µa (最大值)
hyper-页 模式 (512-column 随机的 进入), 读-modify-
写, ras-仅有的 refresh, cas 在之前 ras refresh, hidden refresh
能力.
early-写 模式, oe 和 w 至 控制 输出 缓存区 阻抗
512 refresh 循环 每 8.2ms (一个0~A8)
512 refresh 循环 每 128ms (一个0~A8)*
字节 或者 文字 控制 为 读/写 运作 (2cas, 1w 类型)
*: 适用 至 自 refresh 版本 (m5m44265cj,tp-5s,-6s,-7s
: 选项) 仅有的
xx=j,tp
类型 名字
进入
时间
(最大值.ns)
RAS
进入
时间
(最大值.ns)
CAS
(最大值.ns)
进入
时间
地址
时间
(最小值.ns)
循环
dissipa-
(典型值.mw)
电源
tion
m5m44265cxx-7,-7s
m5m44265cxx-6,-6s
60
70
15
20
30
35
110
130
550
475
15
20
进入
时间
(最大值.ns)
OE
m5m44265cxx-5,-5s
50 13 25
90 625
13
应用
microcomputer 记忆, refresh 记忆 为 crt, 框架 缓存区
记忆 为 crt
管脚 配置 (顶 视图)
1
9
2
3
4
5
11
10
12
13
40
39
38
37
36
30
32
31
29
28
DQ1
一个0
一个1
一个2
一个3
(5v)vCC
VSS(0v)
NC
一个8
一个7
一个6
一个5
一个4
W
RAS
UCAS
OE
外形 40p0k (400mil soj)
6
7
8
35
34
33
16
18
17
19
20
14
15
25
23
24
22
21
27
26
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
(5v)vCC
(5v)vCC
NC
NC
LCAS
NC
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
VSS(0v)
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
VSS(0v)
1
9
2
3
4
5
13
10
14
15
44
43
42
41
40
32
36
35
31
30
DQ1
一个0
一个1
一个2
一个3
(5v)vCC
VSS(0v)
NC
一个8
一个7
一个6
一个5
一个4
W
RAS
UCAS
OE
外形 44p3w-r (400mil tsop nomal bend)
6
7
8
39
38
37
18
20
19
21
22
16
17
27
25
26
24
23
29
28
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
(5v)vCC
(5v)vCC
NC
NC
LCAS
NC
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
VSS(0v)
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
VSS(0v)
nc: 非 连接
edo (hyper 页 模式) 4194304-位 (262144-文字 用 16-bit) 动态 内存
m5m44265cj,tp-5,-6,-7,
-5s,-6s,-7s
mitsubishi lsis
管脚 描述
管脚 名字
一个0~A8
DQ1~DQ16
RAS
UCAS
W
OE
VCC
VSS
函数
地址 输入
数据 输入 / 输出
行 地址 strobe 输入
upper 字节 控制
column 地址 strobe 输入
写 控制 输入
电源 供应 (+5v)
地面 (0v)
输出 使能 输入
更小的 字节 控制
column 地址 strobe 输入
LCAS
这个 是 一个 家族 的 262144-文字 用 16-位 动态 rams 和
hyper 页 模式 fuction, fabricated 和 这 高 效能
cmos 处理, 和 是 完美的 为 这 缓存区 记忆 系统 的
个人的 计算机 graphics 和 hdd 在哪里 高 速, 低
电源 消耗, 和 低 costs 是 essential.
这 使用 的 翻倍-layer metalization 处理 技术 和 一个
单独的-晶体管 动态 存储 stacked 电容 cell 提供
高 电路 密度 在 减少 costs. 多路复用 地址 输入
准许 两个都 一个 减少 在 管脚 和 一个 增加 在 系统
densities. 自 或者 扩展 refresh 电流 是 低 足够的 为
电池 后面的-向上 应用.
这个 设备 有 2cas 和 1w terminals 和 一个 refresh 循环 的
512 循环 每 8.2ms.
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