rev. c
信息 提供的 由 模拟 设备 是 相信 至 是 准确 和
可靠. 然而, 否 责任 是 假设 由 模拟 设备 用于 其
使用, 也没有 用于 任何 侵权 的 专利 或 其他 权利 的 第三 缔约方
哪个 将 结果 从 其 使用. 否 许可证 是 授予 由 蕴涵 或
否则 下 任何 专利 或 专利 权利 的 模拟 设备.
一个
低 噪声, 匹配
双 单片 晶体管
MAT02
一个 技术 方式, p.o. 框 9106, norwood, ma 02062-9106, 美国
电话: 617/329-4700 传真: 617/326-8703
特点
低 偏移量 电压: 50
v 最大值
低 噪声 电压 在 100 赫兹, 1 ma: 1.0 nv/
√
赫兹
最大值
高 增益 (h
铁
): 500 最小 在 我
c
= 1 ma
300 最小 在 我
c
= 1
一个
优秀 日志 符合性: 右
是
0.3
低 偏移量 电压 漂移: 0.1
v/
c 最大值
改进 直接 更换 用于 lm194/394
可用 入点 模具 窗体
订购 指南
1
v
操作系统
最大值 温度 包装
型号 (t
一个
= +25
c) 范围 选项
MAT02AH
2
50
µ
v –55
°
c 至 +125
°
c 至-78
MAT02EH 50
µ
v –55
°
c 至 +125
°
c 至-78
MAT02FH 150
µ
v –55
°
c 至 +125
°
c 至-78
备注
1
预烧 是 可用 开启 商业 和 工业 温度 范围 零件 入点
至-可以 软件包.
2
用于 设备 已处理 入点 合计 合规性 至 密耳-标准-883, 添加 /883 之后 零件
号码. 咨询 工厂 用于 883 数据 工作表.
绝对 最大值 额定值
1
收集器-底座 电压 (bv
CBO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 v
集电极-发射极 电压 (bv
CEO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 v
收集器-收集器 电压 (bv
抄送
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 v
发射器-发射器 电压 (bv
ee
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 v
收集器 电流 (我
c
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 ma
发射器 电流 (我
e?
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 ma
合计 电源 耗散
案例 温度
≤
40
°
c
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1.8 w
环境 温度
≤
70
°
c
3
. . . . . . . . . . . . . . . .500 mw
操作 温度 范围
MAT02A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–55
°
c 至 +125
°
c
mat02e, f . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–25
°
c 至 +85
°
c
操作 接合点 温度 . . . . . . . . . .–55
°
c 至 +150
°
c
存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
c
铅 温度 (焊接, 60 秒). . . . . . . . . . . . . +300
°
c
接合点 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
c
备注
1
绝对 最大值 额定值 应用 至 两者都有 骰子 和 已打包 设备.
2
评级 适用 至 应用程序 使用 热量 下沉 至 控制 案例 温度.
降额 线性 在 16.4 mw/
°
c 用于 案例 温度 以上 40
°
c.
3
评级 适用 至 应用程序 不 使用 一个 热量 下沉; 设备 入点 免费 空气 仅.
降额 线性 在 6.3 mw/
°
c 用于 环境 温度 以上 70
°
c.
备注
基材 是 已连接 至 案例 开启 至-78 包装. sub-
标准 是 正常情况下 已连接 至 这 大多数 负 电路
潜力, 但是 可以 是 浮动.
管脚 连接
至-78
(h 后缀)
产品 描述
这 设计 的 这 mat02 系列 的 npn 双 单片 tran-
姐妹 是 优化 用于 很 低 噪声, 低 漂移, 和 低 右
是
.
精度 monolithics’ 独占 硅 渗氮 “triple-
passivation” 流程 稳定 这 关键 设备 参数
结束 宽 范围 的 温度 和 流逝 时间. 也, 这 高
电流 增益 (h
铁
) 的 这 mat02 是 维护 结束 一个 宽
范围 的 收集器 电流. 例外 特性 的 这
mat02 包括 偏移量 电压 的 50
µ
v 最大值 (一个/e? 等级) 和
150
µ
v 最大值 f 等级. 设备 业绩 是 指定 结束 这
已满 军事 温度 范围 作为 井 作为 在 25
°
c.
输入 保护 二极管 是 提供 跨越 这 发射器-底座
交叉点 至 防止 降解 的 这 设备 特性
到期 至 反向偏置 发射器 电流. 这 基材 是 夹紧
至 这 大多数 负 发射器 由 这 寄生 隔离 接合点
已创建 由 这 保护 二极管. 这个 结果 入点 完成 伊索拉-
操作 之间 这 晶体管.
这 mat02 应该 是 已使用 入点 任何 应用程序 在哪里 低 噪声
是 一个 优先. 这 mat02 可以 是 已使用 作为 一个 输入 舞台 至 制造
一个 放大器 与 噪声 电压 的 较少 比 1.0 nv/
√
赫兹
在 100 赫兹.
其他 应用程序, 这样的 作为 日志/antilog 电路, 将 使用 这 ex-
大大的 日志记录 conformity 的 这 mat02. 典型 散装 resis-
付款 是 仅 0.3
Ω
至 0.4
Ω
. 这 mat02 电气 charac-
特征 方法 那些 的 一个 理想 晶体管 当 操作 结束
一个 收集器 电流 范围 的 1
µ
一个 至 10 ma. 用于 应用程序 re-
询问 多个 设备 请参见 mat04 四边形 匹配 晶体管
数据 工作表.
: 点此下载
