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资料编号:470697
 
资料名称:MAT01AH
 
文件大小: 119.82K
   
说明
 
介绍:
Matched Monolithic Dual Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
rev. 一个
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哪个 将 结果 从 其 使用. 否 许可证 是 授予 由 蕴涵 或
否则 下 任何 专利 或 专利 权利 的 模拟 设备.
一个
匹配 单片
双 晶体管
MAT01
特点
低 v
操作系统
(v
匹配): 40
v 典型值, 100
v 最大值
v/
高 h
: 500 最小
优秀 h
线性度 从 10 不适用 至 10 ma
低 噪声 电压: 0.23
v p-p—0.1 赫兹 至 10 赫兹
可用 入点 模具 窗体
产品 描述
这 mat01 是 一个 单片 双 npn 晶体管. 一个 独占
硅 渗氮 “triple-passivation” 流程 提供 优秀
稳定性 的 关键 参数 结束 两者都有 温度 和 时间.
匹配 特性 包括 偏移量 电压 的 40
µ
v, 透射电镜-
温度 漂移 的 0.15
µ
v/
°
c, 和 h
匹配 的 0.7%. 很
高 h
是 提供 结束 一个 六个 十年 范围 的 收集器 电流,
包括 一个 例外 h
的 590 在 一个 收集器 电流 的 仅
10 不适用. 这 高 增益 在 低 收集器 电流 使 这
mat01 理想 用于 使用 入点 低 电源, 低 水平 输入 阶段.
管脚 连接
至-78
(h 后缀)
备注: 基材 是 已连接 至 案例.
预烧 电路
一个 技术 方式, p.o. 框 9106, norwood, ma 02062-9106, 美国
电话: 617/329-4700 世界 宽 web 现场: http://www.模拟.com
传真: 617/326-8703 © 模拟 设备, 股份有限公司., 1997
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