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ds05-10167-3e
富士通 半导体
数据 工作表
记忆
CMOS
2 m
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8 有点
快 第页 模式 动态 ram
mb8117800a-60/-70
cmos 2,097,152
×
8 有点 快 第页 模式 动态 ram
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描述
这 富士通 mb8117800a 是 一个 完全 已解码 cmos 动态 ram (dram) 那 包含 16,777,216 记忆
细胞 无障碍 入点 8-有点 增量. 这 mb8117800a 特点 一个 “fast page” 模式 的 操作 由此 高-
速度 随机 访问权限 的 向上 至 1,024-比特 的 数据 内 这 相同 行 可以 是 已选择. 这 mb8117800a dram
是 理想情况下 适合 用于 mainframe, 缓冲区, 手持 计算机 视频 成像 设备, 和 其他 记忆
应用程序 在哪里 很 低 电源 耗散 和 高 带宽 是 基本 要求 的 这 设计. 自
这 备用 电流 的 这 mb8117800a 是 很 小, 这 设备 可以 是 已使用 作为 一个 非挥发性 记忆 入点
设备 那 用途 电池 用于 主要 和/或 辅助 电源.
这 mb8117800a 是 预制 使用 硅 闸门 cmos 和 富士通’s 高级 四层 多晶硅 和 两个-
图层 铝 流程. 这个 流程, 耦合 与 高级 堆叠式 电容器 记忆 细胞, 减少 这
可能性 的 软 错误 和 扩展 这 时间 时间间隔 之间 记忆 刷新. 时钟 计时 要求 用于
这 mb8117800a 是 不 关键 和 全部 输入 是 ttl 兼容.
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产品 线 &放大器; 特点
参数 mb8117800a-60 mb8117800a-70
ras
访问权限 时间 60 ns 最大值 70 ns 最大值
随机 循环 时间 110 ns 最小值 130 ns 最小值
地址 访问权限 时间 30 ns 最大值 35 ns 最大值
cas
访问权限 时间 15 ns 最大值 17 ns 最大值
hyper 第页 模式 循环 时间 40 ns 最小值 45 ns 最小值
低 电源
耗散
操作 电流 715 mw 最大值 660 mw 最大值
备用 电流 11 mw 最大值 (ttl 水平) / 5.5 mw 最大值 (cmos level)
• 2,097,152 字词
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8 有点 组织机构
• 硅 闸门, cmos, 高级 电容器 细胞
• 全部 输入 和 输出 是 ttl 兼容
• 2048 刷新 循环次数 每 32.8ms
• 自我 刷新 功能
• 早期 写 或 oe
受控 写 能力
•RAS
-仅, cas-之前-ras, 或 隐藏
刷新
• 快 第页 模式, 读取-修改-写入
能力
• 开启 芯片 基材 偏差 发电机 用于 高
业绩
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