mbr1035-mbr1060
mbr1035 - mbr1060, rev. 一个
mbr1035 - mbr1060
10 ampere 肖特基 屏障 整流器
绝对 最大 ratings*
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
1999 仙童 半导体 公司
标识 参数 值 单位
I
O
平均 调整的 电流 10 一个
i
f(repetitive)
顶峰 repetitive 向前 电流
(评估 v
R
, 正方形的 波, 20 khz) @ t
一个
= 135
°
C
20 一个
i
f(surge)
顶峰 向前 surge 电流
8.3 ms 单独的 half-sine-波
superimposed 在 评估 加载 (电子元件工业联合会 方法)
150 一个
P
D
总的 设备 消耗
减额 在之上 25
°
C
2.0
16.6
W
mw/
°
C
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 60
°
c/w
R
θ
JL
热的 阻抗, 接合面 至 含铅的 2.0
°
c/w
T
stg
存储 温度 范围 -65 至 +175
°
C
T
J
运行 接合面 温度 -65 至 +150
°
C
参数 设备 单位
1035 1045 1050 1060
顶峰 repetitive 反转 电压 35 45 50 60 V
最大 rms 电压 24 31 35 42 V
直流 反转 电压 (评估 v
R
)
35 45 50 60 V
电压 比率 的 改变 (评估 v
R
)
10,000 v/美国
最大 反转 电流
@ 评估 v
R
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 125
°
C
0.1
15
毫安
毫安
最大 向前 电压
I
f =
10 一个, t
C
= 25
°
C
I
f =
10 一个, t
C
= 125
°
C
I
f =
20 一个, t
C
= 25
°
C
I
f =
20 一个, t
C
= 125
°
C
-
0.57
0.84
0.72
0.80
0.70
0.95
0.85
V
V
V
V
顶峰 repetitive 反转 surge
电流
2.0 美国 脉冲波 宽度, f = 1.0 khz
1.0 0.5 一个
特性
•
低 电源 丧失, 高 效率.
•
高 surge capacity.
•
为 使用 在 低 电压, 高 频率
反相器, 自由 转动, 和 极性
保护 产品.
•
metal 硅 接合面, majority 运输车
传导.
•
高 电流 capacity, 低 向前
电压 漏出.
•
守卫 环绕 为 在 电压 保护.
维度
是 在:
英寸 (mm)
DIA
12
.412(10.5)
最大值
.148(3.74)
.154(3.91)
.103(2.62)
.113(2.87)
.587(14.91)
.594(15.1)
.53(13.46)
.56(14.22)
.14(3.56)
.16(4.06)
.195(4.95)
.205(5.20)
.027(0.68)
.037(0.94)
.175(4.44)
.185(4.70)
.23(5.84)
.27(6.86)
.10(2.54)
.11(2.79)
.014(0.35)
.025(0.64)
.045(1.14)
.055(1.40)
管脚 1 +
情况
+
管脚 2 -
情况 积极的
至-220ac
: 点此下载
