THRU
10一个m p
SchottkyB一个rrier
整流器
特性
最大 比率
•
运行 温度: -55
°
c 至 +150
°
C
•
存储 温度: -55
°
c 至 +175
°
C
Microsemi
Catalog
号码
设备
标记
最大
Recurrent
顶峰
反转
电压
最大
RMS
电压
最大
直流
Blocking
电压
MCC
英寸 mm
一个 .560 .625 14.22 15.88
b .380 .420 9.65 10.67
c .100 .135 2.54 3.43
d .230 .270 5.84 6.86
e .380 .420 9.65 10.67
f ------ .250 ------ 6.35
g .500 .580 12.70 14.73
h .090 .110 2.29 2.79
i .020 .045 0.51 1.14
j .012 .025 0.30 0.64
k .139 .161 3.53 4.09
l .140 .190 3.56 4.83
m .045 .055 1.14 1.40
n .080 .115 2.03 2.92
管脚 1
管脚 3
管脚 2
情况
一个
B
C
K
J
I
H
G
F
E
D
N
M
L
H
至-220ab
管脚
132
最大 向前
电压 漏出 每
元素
最大 直流
反转 电流 在
评估 直流 blocking
电压
*pulse 测试: 脉冲波 宽度 300
µ
秒, 职责 循环
2
%
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•
metal 的 siliconrectifier, majonty 运输车 conducton
•
守卫 环绕 为 瞬时 保护
•
低 电源 丧失 高 效率
•
高 surge capacity, 高 电流 能力
80-100 伏特
T
J
=
1
25
°
C
顶峰 向前 surge
电流
I
FSM
120A8.3ms, half sine
15m一个
0.2m一个T
J
= 25
°
C
V
F
.85v
.75v
MBR10100CTMBR10100CT100V70v 100v
MBR1080CTMBR1080CT80V56v 80v
MBR1080CT
MBR10100CT
电的 特性 @ 25
°
c 除非 否则 指定
平均 向前
电流
I
f(av)
10A
T
C
= 100
°
C
T
J
=
125
°
C
I
FM
= 5a
T
J
=
25
°
C
典型 接合面
电容
300pF
C
J
Measured 在
1.0mhz, v
R
=4.0v
IR
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