半导体 组件 行业, llc, 1999
12月, 1999 – rev. 2
1
出版物 订单 号码:
mcr12/d
mcr12d, mcr12m, MCR12N
首选 设备
硅 受控 整流器
反向 阻塞 thyristors
设计 主要 用于 半波 交流电 控制 应用程序, 这样的 作为
电机 控件, 加热 控件, 和 电源 供应品; 或 无论在哪里
half–wave 硅 gate–controlled 设备 是 需要.
•
阻塞 电压 至 800 伏特
•
开启状态 电流 评级 的 12 安培 rms 在 80
°
c
•
高 浪涌 电流 能力 — 100 安培
•
坚固耐用, 经济型 to220ab 包装
•
玻璃 钝化 交叉点 用于 可靠性 和 均匀性
•
最小值 和 最大值 数值 的 igt, vgt 一个 ih 指定 用于
轻松 的 设计
•
高 免疫 至 设计验证/dt — 100 v/
µ
秒 最小值 在 125
°
c
•
设备 标记: 徽标, 设备 类型, e?.g., mcr12d, 日期 代码
最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 值 单位
峰值 重复性 off–state 电压
(1)
(t
j
= –40 至 125
°
c, 正弦 波浪,
50 至 60 赫兹,
闸门 打开)
MCR12D
MCR12M
MCR12N
v
drm,
v
rrm
400
600
800
伏特
开启状态 rms 电流
(180
°
传导 角片; t
c
= 80
°
c)
我
t(rms)
12 一个
峰值 非重复性 浪涌 电流
(1/2 循环, 正弦 波浪 60 赫兹,
t
j
= 125
°
c)
我
TSM
100 一个
电路 熔断 对价
(t = 8.33 ms)
我
2
t 41 一个
2
秒
前进 峰值 闸门 电源
(脉冲 宽度
≤
1.0
µ
s, t
c
= 80
°
c)
p
通用汽车
5.0 瓦特
前进 平均值 闸门 电源
(t = 8.3 ms, t
c
= 80
°
c)
p
g(av)
0.5 瓦特
前进 峰值 闸门 电流
(脉冲 宽度
≤
1.0
µ
s, t
c
= 80
°
c)
我
通用汽车
2.0 一个
操作 接合点 温度 范围 t
j
–40 至
+125
°
c
存储 温度 范围 t
stg
–40 至
+150
°
c
(1) v
DRM
和 v
rrm
用于 全部 类型 可以 是 已应用 开启 一个 连续 依据. 额定值
应用 用于 零 或 负 闸门 电压; 正 闸门 电压 应 不 是
已应用 并发 与 负 潜力 开启 这 阳极. 阻塞 电压
应 不 是 已测试 与 一个 常数 电流 来源 这样的 那 这 电压
额定值 的 这 设备 是 超过.
SCRs
12 安培 rms
400 直通 800 伏特
首选
设备 是 推荐 选择 用于 未来 使用
和 最好 总体 值.
设备 包装 装运
订购 信息
MCR12D TO220AB 50 单位/轨道
MCR12M TO220AB
MCR12N TO220AB
http://onsemi.com
50 单位/轨道
50 单位/轨道
k
g
一个
TO–220AB
案例 221a
风格 3
1
2
3
4
管脚 分配
1
2
3
阳极
闸门
阴极
4
阳极
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