MGF1601B
mitsubishi 半导体 gaas 场效应晶体管
微波炉 电源 gaas 场效应晶体管
十一月 ´97
2.5±0.2
0.5±0.15
描述
这 mgf1601b, 中-电源 gaas 场效应晶体管 与 一个 n通道
肖特基 闸门, 是 设计 用于 使用 入点 s 至 x 乐队 放大器 和
振荡器. 这 密封 密封 金属陶瓷 包装
保证 最小值 寄生 损失, 和 有 一个 配置 适合
用于 微带 电路.
特点
• 高 输出 电源 在 1db 增益 压缩
p1dB=21.8dbm(典型值.) @f=8GHz
• 高 线性 电源 增益
glp=8db(典型值.) @f=8GHz
应用程序
s 至 x 乐队 中-电源 放大器 和 振荡器.
质量 等级
• gg
推荐 偏差 条件
• vds=6V
• 我d=100mA
• 参考 至 偏差 程序
大纲 图纸
单位:毫米
gd-10
闸门
来源
排水管
3
2
1
2
3
1
4min.
2
4min.
0.5±0.15
典型值 MaxMin
限制
参数 测试一下 条件
电气 特性
(t一个=25˚c)
符号 单位
v(br)gdo
v(br)gso
闸门 至 排水管 击穿 电压
–
250
20
v
v
µA
-8
–
–
ma
v
-8
-4.5
–
200
–
–
150
–
我GSS
闸门 至 来源 泄漏 电流
热 电阻 *1
-1.5
ms
–
90
70
db
–
8
6
我g=-200µa
我g=-200µa
vgs=-3v,vds=0V
vds=6v,我d=100ma,f=8ghz
绝对 最大值 额定值
(t一个=25˚c)
符号 参数 额定值
175
vGDO
vGSO
pt
tch
tstg
单位
闸门 至 来源 电压
闸门 至 排水管 电压
合计 电源 耗散 *1
频道 温度
存储 温度
-8
-8
1.2
-65 至 +175
v
v
w
˚C
˚C
我d
排水管 电流
250 ma
我gr
我GF
反向 闸门 电流
前进 闸门 电流
-0.6
1.5
ma
ma
*1:tc=25˚c
p1dB
glp
右th(ch-c)
输出 电源 在 1db 增益
压缩
线性 电源 增益
∆
vf方法
*1:频道 至 环境
我DSS
vgs(关)
饱和 排水管 电流
闸门 来源 截止 电压
gm
跨导
vgs=0v,vds=3V
vds=3v,我d=100µA
vds=3v,我d=100mA
闸门 至 来源 击穿 电压
vds=6v,我d=100ma,f=8ghz
20.8
–
21.8
–
–
125
dBm
˚c/w
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