2003. 3. 27 1/2
半导体
技术的 数据
mjd117/l
外延的 planar pnp 晶体管
修订 非 : 4
大而单一的 构建 和 建造 在
根基-发射级 调往 电阻器 工业的 使用.
特性
高 直流 电流 增益.
: h
FE
=1000(最小值.), V
CE
=-4v, i
C
=-1a.
低 集电级-发射级 饱和 电压.
笔直地 含铅的 (ipak, "l" 后缀)
complementary 至 mjd112/l.
最大 比率 (ta=25 )
DPAK
DIM 毫米
一个
B
C
D
F
H
I
J
K
L
6.60 0.2
6.10 0.2
5.0 0.2
1.10 0.2
2.70 0.2
2.30 0.1
1.00 最大值
2.30 0.2
0.5 0.1
2.00 0.20
0.50 0.10
E
0.91 0.10m
0.90 0.1o
一个
C
D
B
E
K
I
J
Q
H
F
F
M
O
P
L
123
1. 根基
2. 集电级
3. 发射级
1.00 0.10p
0.95 最大值Q
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
电的 特性 (ta=25 )
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-发射级 sustaining 电压
V
ceo(sus)
I
C
=-30ma, i
B
=0
-100 - - V
集电级 截-止 电流
I
CEO
V
CE
=-50v, i
B
=0
- - -20
一个
I
CBO
V
CB
=-100v, i
E
=0
- - -20
发射级 截-止 电流
I
EBO
V
EB
=-5v, i
C
=0
- - -2 毫安
直流 电流 增益
h
FE
V
CE
=-3v, i
C
=-0.5a
500 - -
V
CE
=-3v, i
C
=-2a
1,000 12,000 -
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
=-2a, i
B
=-8ma
- - -2.0 V
根基-发射级 在 电压
V
是(在)
V
CE
=-3v, i
C
=-2a
- - -2.8 V
电流 增益 带宽 产品
f
T
V
CE
=-10v, i
C
=0.75a, f=1mhz
25 - - MHz
集电级 输出 电容
C
ob
V
CB
=-10v, i
E
=0, f=0.1mhz
- - 200 pF
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压
V
CBO
-100 V
集电级-发射级 电压
V
CEO
-100 V
发射级-根基 电压
V
EBO
-5 V
集电级 电流
直流
I
C
-2
一个
脉冲波 -4
根基 电流 直流
I
B
-50 毫安
集电级 电源
消耗
Ta=25
P
C
1.0
W
Tc=25
20
接合面 温度
T
j
150
存储 温度 范围
T
stg
-55 150
C
B
E
R
10k
Ω
0.6k
Ω
R
1
2
= =
DIM 毫米
IPAK
D
B
Q
E
H
F
F
C
一个
P
L
I
J
123
一个
B
C
D
E
F
G
H
I
J
L
P
Q
6.60 0.2
6.10 0.2
5.0 0.2
1.10 0.2
9.50 0.6
2.30 0.1
0.76 0.1
1.0 最大值
2.30 0.2
0.5 0.1
0.50 0.1
1.0 0.1
0.90 最大值
G
1. 根基
2. 集电级
3. 发射级
K 2.0 0.2
K
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
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+
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+
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