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资料编号:484704
 
资料名称:MM74C89N
 
文件大小: 60.65K
   
说明
 
介绍:
64-Bit 3-STATE Random Access Read/Write Memory
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
october 1987
修订 january 1999
mm74c89 64-有点 3-州 随机 访问权限 阅读/写 记忆
© 1999 仙童 半导体 公司 ds005888.prf www.仙女半.com
MM74C89
64-有点 3-州 随机 访问权限 阅读/写 记忆
概述 描述
这 mm74c89 是 一个 16-字 由 4-有点 随机 访问权限 阅读/
写 记忆. 输入 至 这 记忆 组成 的 四 地址
线条, 四 数据 输入 线条, 一个 写
启用线 和 一个 mem-
ory
已解码 内部 至 选择 每个 的 这 16 可能 字
位置. 一个 内部 地址 注册 锁扣 这 地址
信息 开启 这 正 至 负 过渡 的 这
记忆 启用 输入. 这 四 3-州 数据 输出 线条
工作 入点 连接词 与 这 记忆 启用 输入 专业版-
vide 用于 容易 记忆 扩展.
地址 操作:
地址 输入 必须 是 稳定 t
sa
之前 至 这 正 至 负 过渡 的 记忆
启用. 它 是 因此 不 必要的 至 保持 地址 信息
稳定 用于 更多 比 t
之后 这 记忆 是 已启用 (位置-
活动 至 负 过渡 的 记忆
启用).
写 操作:
信息 目前 在 这 数据 输入 是
书面 进入 这 记忆 在 这 已选择 地址 由 带来
启用和 记忆启用低.
阅读 操作:
这 补码 的 这 信息
哪个 是 书面 进入 这 记忆 是 非-destructively
阅读 出点 在 这 四 产出. 这个 是 已完成 由
正在选择 这 需要 地址 和 带来 记忆
启用
低 和 写启用高.
当 这 设备 是 写作 或 已禁用 这 输出 假设
一个 3-州 (嗨-z) 条件.
特点
宽 供应 电压 范围: 3.0v 至 15v
保证 噪声 边距: 1.0v
高 噪声 免疫: 0.45 v
抄送
(典型值.)
低 电源 ttl 兼容性:
风扇 出点 的 2 驾驶 74l
低 电源 消费: 100 nw/包装 (典型值.)
快 访问权限 时间: 130 ns (典型值.) 在 v
抄送
=
10V
3-州 输出
备注:
这 计时 是 不同的 比 这 dm7489 入点 那 一个 正 至 负
过渡 的 这 记忆
启用必须 发生 用于 这 记忆 至 是 已选择.
订购 代码:
连接 图表
管脚 作业 用于 倾角
顶部ve?w
真相 表
订单 号码 包装 号码 包装 描述
MM74C89N N16E
16-铅 塑料 双列直插式 包装 (pdip), 电子元件工业联合会 ms-001, 0.300” 宽
我们 操作 条件 的 产出
LLWrite 3-州
l h 阅读 补码 的 已选择 字
h l 抑制, 存储 3-州
h h 抑制, 存储 3-州
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