半导体 组件 行业, llc, 2000
十一月, 2000 – rev. 7
1
出版物 订单 号码:
mmdf3n03hd/d
首选 设备
n–channel so–8, 双
这些微型 表面 安装 mosfets 功能 超 低 右
ds(开启)
和 真 逻辑 水平 业绩. 他们 是 有能力 的 承受
高 能源 入点 这 雪崩 和 换向 模式 和 这
drain–to–source 二极管 有 一个 很 低 反向 回收 时间.
MiniMOS
设备 是 设计 用于 使用 入点 低 电压, 高 速度
开关 应用程序 在哪里 电源 效率 是 重要. 典型
应用程序 是 直流-直流 转换器, 和 电源 管理 入点 便携式
和 蓄电池 通电 产品 这样的 作为 计算机, 打印机, 细胞 和
无绳 电话. 他们 可以 也 是 已使用 用于 低 电压 电机 控件
入点 质量 存储 产品 这样的 作为 磁盘 驱动器 和 胶带 驱动器. 这
雪崩 能源 是 指定 至 消除 这 guesswork 入点 设计
在哪里 归纳 荷载 是 已切换 和 报价 附加 安全 边距
反对 意外 电压 瞬变.
•
超 低 右
ds(开启)
提供 较高 效率 和 扩展 蓄电池
生活
•
逻辑 水平 闸门 驱动器 – 可以 是 驱动 由 逻辑 ics
•
微型 so–8 表面 安装 包装 – 保存 板 空间
•
二极管 是 表征 用于 使用 入点 桥梁 电路
•
二极管 展品 高 速度, 与 软 回收
•
我
DSS
指定 在 高架 温度
•
雪崩 能源 指定
•
安装 信息 用于 so–8 包装 提供
最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 值 单位
drain–to–source 电压 v
DSS
30 Vdc
drain–to–gate 电压 (右
gs
= 1.0 m
Ω
) v
DGR
30 Vdc
gate–to–source 电压 – 连续 v
gs
±
20 Vdc
排水管 电流 – 连续 @ t
一个
= 25
°
c
排水管 电流– 连续 @ t
一个
= 100
°
c
排水管 电流– 单独 脉冲 (t
p
≤
10
µ
s)
我
d
我
d
我
dm
4.1
3.0
40
adc
Apk
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
(备注 1.)
p
d
2.0 瓦特
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
– 55 至
150
°
c
单独 脉冲 drain–to–source 雪崩
能源 – 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 30 vdc, v
gs
= 5.0 vdc, 峰值
我
l
= 9.0 apk, l = 8.0 mh, 右
g
= 25
Ω
)
e?
作为
324 mJ
热 电阻 – 接合点 至 环境
(备注 1.)
右
θ
ja
62.5
°
c/w
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 1/8
″
从 案例 用于 10 秒
t
l
260
°
c
1. 当 已安装 开启 2
″
方块字 fr–4 板 (1
″
方块字 2 盎司. 铜 0.06
″
厚
单独 侧面) 与 一个 模具 操作, 10s 最大值
Source–1
1
2
3
4
8
7
6
5
顶部 查看
Gate–1
Source–2
Gate–2
Drain–1
Drain–1
Drain–2
Drain–2
1
8
3 安培
30 伏特
右
ds(开启)
= 70 m
设备 包装 装运
订购 信息
MMDF3N03HDR2 SO–8 2500 胶带 &放大器; 卷轴
so–8, 双
案例 751
风格 11
http://onsemi.com
N–Channel
LYWW
标记
图表
D3N03
l = 位置 代码
y = 年份
ww = 工作 周
管脚 分配
首选
设备 是 推荐 选择 用于 未来 使用
和 最好 总体 值.
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