leshan 收音机 公司, 有限公司.
q2–1/8
pnp 硅 表面 安装 晶体管 与
单片 偏差 电阻 网络
这个 新建 系列 的 数字 晶体管 是 设计 至 更换 一个 单独 设备 和 其
外部 电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻 晶体管) 包含 一个 单独
晶体管 与 一个 单片 偏差 网络 由 的 两个 电阻; 一个 系列 底座
电阻 和 一个 基极-发射极 电阻.这 brt 消除 这些 个人 组件
由 集成 他们 进入 一个 单独 设备. 这 使用 的 一个 brt 可以 减少 两者都有 系统
成本 和 板 空间. 这 设备 是 已安置 入点 这 sot-23 包装 哪个 是
设计 用于 低 电源 表面 安装 应用程序.
∗
简化了 电路 设计
∗
减少 板 空间
∗
减少 组件 计数
∗
这 sot-23 包装 可以 是 焊接 使用 波浪 或
回流. 这 已修改 海鸥-winged 导联 吸收 热
应力 期间 焊接 消除 这 可能性 的
损伤 至 这 模具.
∗
可用 入点 8 mm 压花 胶带 和 卷轴. 使用 这
设备 号码 至 订单 这 7 英寸/3000 单位 卷轴.
更换 “t1” 与 “t3” 入点 这 设备 号码 至 订单
这 13 英寸/10,000 单位 卷轴.
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RL34
1
3
2
案例 318–08, 风格 6
sot– 23 (to–236ab)
npn 硅
偏差 电阻
晶体管
偏差 电阻 晶体管
最大值 额定值
(t
一个
= 2
5°
c 除非 否则 已注明)
评级 符号 v值 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
50 Vdc
集电极-发射极 电压 v
CEO
50 Vdc
收集器 电流 我
c
100 mAdc
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 2
5°
c
(1)
p
d
200 mW
降额 以上 2
5°
c 1.6 mW
/°
c
热 特性
评级 符号 v值 单位
热 电阻 — 交叉点到环境 (表面 已安装) 右
θ
ja
625 °c/w
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–65 至 +150 °C
最大值 温度 用于 焊接 目的
t
l
260 °C
时间 入点 焊料 浴缸 10 秒
设备 标记 和 电阻 数值
设备 标记 r1 (k) r2 (k)
MMUN2211RLT1 一个8一个 10 10
MMUN2212RLT1 一个8B 22 22
MMUN2213RLT1 A8C 47 47
MMUN2214RLT1 A8D 10 47
MMUN2215RLT1
(2)
A8E 10
MMUN2216RLT1
(2)
A8F 4.7
MMUN2230RLT1
(2)
A8G 1 1
MMUN2231RLT1
(2)
A8H 2.2 2.2
MMUN2232RLT1
(2)
A8J 4.7 4.7
MMUN2233RLT1
(2)
A8K 4.7 47
MMUN2234RLT1
(2)
A8L 22 47
1. 设备 已安装 开启 一个 右前-4 玻璃 环氧树脂 已打印 电路 板 使用 这 最小值 推荐 占地面积.
2. 新建 设备. 已更新 曲线 至 跟着 入点 后续 数据 床单.
R1
R2
PIN3
收集器
(输出)
PIN1
底座
(输入)
PIN2
发射器
(接地)
88
: 点此下载
