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半导体
msm5117805D
2,097,152-字
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8-有点 动态 ram : 快 第页 模式 类型 与 edo
描述
这 msm5117805d 是 一个 2,097,152-字
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8-有点 动态 ram 预制 入点 oki’s 硅栅 cmos
技术. 这 msm5117805d 达到 高 集成, 高速 操作, 和 低功耗 消费
因为 oki 制造商 这 设备 入点 一个 四联-图层 多晶硅/双-图层 金属 cmos 流程. 这
msm5117805d 是 可用 入点 一个 28-管脚 塑料 soj, 28-管脚 塑料 tsop.
特点
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2,097,152-字
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8-有点 配置
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单独 5v 电源 供应,
±
10% 公差
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输入 : ttl 兼容, 低 输入 电容
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输出 : ttl 兼容, 3-州
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刷新 : 2048 循环次数/32 ms
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快 第页 模式, 阅读 修改 写 能力
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cas 之前 ras 刷新, 隐藏 刷新, ras-仅 刷新 能力
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多位 测试一下 模式 能力
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包装 选项:
28-管脚 400mil 塑料 soj (soj28-p-400-1.27) (产品 : msm5117805d-xxjs)
28-管脚 400mil 塑料 tsop (tsopii28-p-400-1.27-k) (产品 : msm5117805d-xxts-k)
(tsopii28-p-400-1.27-l) (产品 : msm5117805d-xxts-l)
xx : 表示 速度 等级.
产品 家庭
访问权限 时间 (最大值.) 电源 耗散
家庭
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
循环 时间
(最小.)
操作 (最大值.) 备用 (最大值.)
msm5117805d-50 50ns 25ns 13ns 13ns 84ns 550mW
msm5117805d-60 60ns 30ns 15ns 15ns 104ns 495mW
msm5117805d-70 70ns 35ns 20ns 20ns 124ns 440mW
5.5mw
这个 版本:apr.1999
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