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128mb: x8ddr400 sdram 微米 技术, 股份有限公司., 储备金 这 右侧 至 变更 产品 或 规格 无 通知.
128mbx8ddr400.p65 – rev. 一个 (1/30/02-b) ©2002, 微米 技术, 公司
128mb: x8
ddr400 sdram 补遗
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这个 数据 工作表 包含 这 目前 描述 的 一个 产品 入点 定义 与 否 formal 设计 入点 进度.
预览
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钥匙 计时 参数
速度 时钟 费率 数据-出点 访问权限 dqs-dq
等级 cl = 3
1
窗口
2
窗口 偏斜
-5 200 mhz 2.15ns ±0.50ns +0.35ns
备注:
1. cl = cas (阅读) 延迟
2. 与 一个 50/50 时钟 职责 循环
体系结构 16meg x 8
配置 4 meg x 8 x 4 银行
刷新 计数 4K
行 寻址 4k (a0–a11)
银行 寻址 4 (ba0, ba1)
色谱柱 寻址 1k (a0–a9)
双 数据 费率
(ddr) sdram
mt46v16m8 – 4 meg x 8 x 4 银行
用于 这 最新 数据 工作表 修订, 请 参考 至 这 微米
web 现场:www.微米.com/dramds
特点
• 200 mhz 时钟, 400 mb/s/p 数据 费率
•V
dd
= +2.65v ±0.10v
•V
dd
q = +2.65v ±0.10v
• 双向 数据 频闪 (dqs) 已传输/
已收到 与 数据, 我.e?., 来源-同步 数据
捕获
• 内部, 流水线 双-数据-费率 (ddr)
体系结构; 两个 数据 访问权限 按 时钟 循环
• 差速器 时钟 输入 (ck 和 ck#)
• 命令 已输入 开启 每个 正 ck 边缘
• dqs 边缘对齐 与 数据 用于 读取; 中心-
对齐 与 数据 用于 写入
• dll 至 对齐 dq 和 dqs 过渡 与 ck
• 四 内部 银行 用于 并发 操作
• 数据 面具 (dm) 用于 掩蔽 写 数据
• 可编程 突发 长度: 2, 4, 或 8
• 并发 自动 预充电 选项 支持
• 自动 刷新 和 自我 刷新 模式
•
t
ras 上锁 (
t
说唱 =
t
刚果民盟)
选项 零件 号码
• 配置
16 meg x 8 (4 meg x 8 x 4 银行) 16M8
• 塑料 包装
66-管脚 tsop tg
(400mil 与 0.65mm 管脚 变桨)
• 计时 - 循环 时间
5ns @ cl = 3
(1)
-5
• 自我 刷新
标准 无
备注:
1. 支架 模块 与 3-4-4 计时
配置
概述 描述
这 ddr400 sdram 是 一个 高速 cmos, dy-
namic 随机访问 记忆 那 操作 在 一个 fre-
频率 的 200 mhz (
t
ck=5ns) 与 一个 峰值 数据 转让
费率 的 400mb/s. ddr400 继续 至 使用 这 电子元件工业联合会
标准 sstl_2 接口 和 这
2n
-预取 archi-
构造.
这 标准 ddr200/ddr266 数据 床单 也
属于 至 这 ddr400 设备 和 应该 是 参考-
已围封 用于 一个 完成 描述 的 ddr sdram 功能-
合性 和 操作 模式. 然而, 至 满足 这
更快 ddr400 操作 频率, 一些 的 这 交流电
计时 参数, 直流 级别 和 操作 蛋彩画-
图 是 略 更紧. 这个 补遗 数据 工作表
将 浓缩物 开启 这 钥匙 差异 必填项 至 sup-
港口 这 增强型 速度.
这 微米 128mb 数据 工作表 提供 已满 规格a-
区域 和 功能 除非 指定 此处.
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