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摩托罗拉 tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计师's
数据 工作表
TMOS e?-场效应晶体管.
电源 字段 效果 晶体管
n–channel enhancement–mode 硅 闸门
这个一个dvanced tmos e?–FET我s designed to withstand h高
能源入点 这 雪崩 和 换向 模式. 这 新建 能源
高效design 一个lso offers 一个 drain–to–source? diodew它h 一个 fast
回收t输入法. designed fo右 low v旧, high s小便d s巫术
应用程序我ons 我n powe?右 supplies, converters 一个nd pwm motor
控件,这些 设备 是 特别是井 适合 用于 桥梁 电路
在哪里diode? s小便d 一个nd commutating safe? operating 一个雷亚尔s 一个re
关键一个nd offe右 一个dditional safety margin 一个gainstunexpected
电压 瞬变.
•
雪崩 能源 指定
•
source–to–drain 二极管 回收 时间 可比 至 一个
离散 快 回收 二极管
•
二极管 是 表征 用于 使用 入点 桥梁 电路
•
我
DSS
和 v
ds(开启)
指定 在 高架 温度
最大值 额定值
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 值 单位
drain–source 电压 v
DSS
60 Vdc
drain–gate 电压 (右
gs
= 1.0 m
Ω
) v
DGR
60 Vdc
gate–source 电压 — 连续
gate–source 电压— non–repetitive (t
p
≤
10 ms)
v
gs
v
GSM
±
15
±
30
Vdc
Vpk
排水管 电流 — 连续
— 连续 @ 100
°
c
— 单独 脉冲 (t
p
≤
10
µ
s)
我
d
我
d
我
dm
50
38
160
adc
Apk
合计 电源 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
150
1.0
瓦特
w/
°
c
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
°
c
单独 脉冲 drain–to–source 雪崩 能源 — 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 25 vdc, v
gs
= 5.0 vdc, 我
l
= 50 apk, l = 0.32 mh, 右
g
= 25
Ω
)
e?
作为
400 mJ
热 电阻 — 接合点 至 案例
— 接合点 至 环境
右
θ
jc
右
θ
ja
1.0
62.5
°
c/w
最大值 铅 t温度 用于 焊接 目的, 1/8
″
从 案例 用于 10 秒 t
l
260
°
c
设计师’s 数据 用于 “w奥斯特 case” 条件
— 这 设计师’s 数据 工作表 许可证 这 设计 的 大多数 电路 完全 从 这 信息 已提交. soa 限制
曲线 — 代表边界 开启 设备 特性 — 是 给定 至 促进 “worst case” 设计.
e–fet 和 设计师’s 是 商标 的 摩托罗拉, 公司 tmos 是 一个 已注册 商标 的 摩托罗拉, 公司
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
订单 这个 文件
由 mtp50n06el/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MTP50N06EL
tmos 电源 场效应晶体管
50 安培
60 伏特
右
ds(开启)
= 0.028 欧姆
摩托罗拉 首选 设备
d
s
g
案例 221a–06, 风格 5
TO–220AB
摩托罗拉, 公司 1995
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