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摩托罗拉 tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
预付款 信息
TMOS e?-场效应晶体管.
电源 字段 效果 晶体管
d
3
PAK 用于 表面 安装
n–channel enhancement–mode 硅 闸门
这个high voltage? moSFEt uses 一个n 一个dvanced termination
方案to provide? e?nhanced voltage–blocking capabilitywithout
有辱人格 业绩 结束 时间. 入点 加法, 这个 高级 tmos
E–FET我s designed to withstand high e?nergy 我nthe? 一个valanche? 一个钕
换向 模式. 这 new e?nergy 高效 设计 也 优惠 一个
drain–to–source diode? w它h 一个 f作为t 右ecoveryt输入法.designed f或 高
速度switching 一个应用s 我n p欠右 supplies, converters,pWM
电机controls, these? devices 一个右e? particularly wellsuited fo右 bridge
电路w这里diode? s小便d 一个nd commutating safe? operating 一个reas
是critical 一个nd offe右 一个dditional safety margin 一个gainstunexpected
电压 瞬变.
•
坚固耐用 高 电压 终止
•
雪崩 能源 指定
•
source–to–drain 二极管 回收 时间 可比 至 一个 离散
快 回收 二极管
•
二极管 是 表征 用于 使用 入点 桥梁 电路
•
我
DSS
和 v
ds(开启)
指定 在 高架 温度
最大值 额定值
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 值 单位
drain–to–source 电压 v
DSS
200 Vdc
drain–to–gate 电压 (右
gs
= 1.0 m
Ω
) v
DGR
200 Vdc
gate–to–source 电压 — 连续 v
gs
±
20 Vdc
排水管 电流 — 连续
排水管 电流— 连续 @ 100
°
c
排水管 电流— 单独 脉冲 (t
p
≤
10
µ
s)
我
d
我
d
我
dm
32
19
128
adc
Apk
合计 电源 耗散 @ 25
°
c
降额 以上 25
°
c
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c (1)
p
d
180
1.44
2.0
瓦特
w/
°
c
瓦特
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
°
c
单独 脉冲 drain–to–source 雪崩 能源 — 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 50 vdc, v
gs
= 10 vdc, 峰值 我
l
= 32 apk, l = 1.58 mh, 右
g
= 25
Ω
)
e?
作为
810
mJ
热 电阻 — 接合点 至 案例
热 电阻— 接合点 至 环境
热 电阻— 接合点 至 环境 (1)
右
θ
jc
右
θ
ja
右
θ
ja
0.7
62.5
35
°
c/w
最大值 铅 t温度 用于 焊接 目的, 1/8
″
从 案例 用于 10 秒 t
l
260
°
c
(1) 当 表面 已安装 至 一个 fr4 板 使用 这 最小值 推荐 衬垫 尺寸.
这个文件 包含 信息 开启 一个 新建 产品. 规格 和 信息 此处 是 主题 至 变更 无 通知.
E–FET是 一个 商标 的 摩托罗拉, 公司 tmos 是 一个 已注册 商标 的 摩托罗拉, 公司
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
订单 这个 文件
由 mtv32n20e/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
案例 433–01, 风格 2
d
3
pak 表面 安装
MTV32N20E
tmos 电源 场效应晶体管
32 安培
200 伏特
右
ds(开启)
= 0.075 欧姆
d
s
g
N–Channel
摩托罗拉, 公司 1996
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