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摩托罗拉 tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计师's
数据 工作表
TMOS e?-场效应晶体管.
电源 字段 效果 晶体管
d
3
PAK 用于 表面 安装
n–channel enhancement–mode 硅 闸门
这 d
3
pak 包装 有 这 能力 的 住房 这 最大 芯片
尺寸of一个ny standard, plastic, surface? mount p欠右 semiconductor.
这个 一个低s 我t 至 是 已使用 入点 应用程序s t哈t 右equire? surface 安装
组件 与 较高 电源 和 下部 右
ds(开启)
能力. 这个
高v旧mOSFEt uses 一个n 一个dvanced termination scheme? to
提供增强型 voltage–blocking能力 无 有辱人格
业绩 结束 时间. 入点 加法, 这个 高级 tmos e–fet 是
设计 至 承受 高 能源 入点 这 雪崩 和 commuta-
操作 模式. 这 新建 能源 高效 设计 也 优惠 一个 drain–to–
来源diode? w它h 一个 f作为t 右ecovery t输入法. designed fo右 high v旧,
高速度 开关 应用程序 入点 表面 安装 pwm 电机
控件 和 两者都有 ac–dc 和 直流-直流 电源 供应品. 这些 设备
是 特别是 井 适合 用于 桥梁 电路 在哪里 二极管 速度 和
换向safe? operating 一个雷亚尔s 一个右e? critical一个nd offe右 一个dditional
安全 边距 反对 意外 电压 瞬变.
•
坚固耐用 高 电压 终止
•
雪崩 能源 指定
•
source–to–drain 二极管 回收 时间 可比 至 一个 离散
快 回收 二极管
•
二极管 是 表征 用于 使用 入点 桥梁 电路
•
我
DSS
和 v
ds(开启)
指定 在 高架 温度
•
短 散热器 选项卡 已制造 – 不 sheared
•
具体而言 设计 引线框架 用于 最大值 电源 耗散
•
可用 入点 24 mm, 13–inch/500 单位 胶带 &放大器; 卷轴, 添加 –rl 后缀 至 零件 号码
最大值 额定值
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 值 单位
drain–to–source 电压 v
DSS
1000 Vdc
drain–to–gate 电压 (右
gs
= 1.0 m
Ω
) v
DGR
1000 Vdc
gate–to–source 电压 — 连续
gate–to–source 电压— non–repetitive (t
p
≤
10 ms)
v
gs
v
GSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
排水管 电流 — 连续
排水管 电流— 连续 @ 100
°
c
排水管 电流— 单独 脉冲 (t
p
≤
10
µ
s)
我
d
我
d
我
dm
6.0
4.2
18
adc
Apk
合计 电源 耗散
降额 以上 25
°
c
合计 电源 耗散 @ t
c
= 25
°
c (1)
p
d
178
1.43
2.0
瓦特
w/
°
c
瓦特
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
°
c
单独 脉冲 drain–to–source 雪崩 能源 — 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 100 vdc, v
gs
= 10 vdc, 峰值 我
l
= 6.0 apk, l = 27.77 mh, 右
g
= 25
Ω
)
e?
作为
720
mJ
热 电阻 — 接合点 至 案例
热 电阻— 接合点 至 环境
热 电阻— 接合点 至 环境 (1)
右
θ
jc
右
θ
ja
右
θ
ja
0.70
62.5
35
°
c/w
最大值 铅 t温度 用于 焊接 目的, 1/8
″
从 案例 用于 10 秒 t
l
260
°
c
(1) 当 表面 已安装 至 一个 fr4 板 使用 这 最小值 推荐 衬垫 尺寸.
设计师’s 数据 用于 “w奥斯特 case” 条件
— 这 设计师’s 数据 工作表 许可证 这 设计 的 大多数 电路 完全 从 这 信息 已提交. soa 限制
曲线 — 代表边界 开启 设备 特性 — 是 给定 至 促进 “worst case” 设计.
e–fet 和 设计师’s 是 商标 的 摩托罗拉, 公司 tmos 是 一个 已注册 商标 的 摩托罗拉, 公司
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
订单 这个 文件
由 mtv6n100e/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
案例 433–01, 风格 2
d
3
pak 表面 安装
MTV6N100E
tmos 电源 场效应晶体管
6.0 安培
1000 伏特
右
ds(开启)
= 1.5 欧姆
d
s
g
摩托罗拉, 公司 1996