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资料编号:492709
 
资料名称:MUN2214RT1
 
文件大小: 328.38K
   
说明
 
介绍:
Bias Resistor Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 收音机 公司, 有限公司.
p2–1/8
最大值 额定值
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级 符号 v 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
50 Vdc
集电极-发射极 电压 v
CEO
50 Vdc
收集器 电流
c
100 mAdc
一个
= 25
°
c
(1)
p
d
200 mW
降额 以上 25
°
c 1.6 mW
c
热 特性
评级 符号 单位
热 电阻 — 交叉点到环境 (表面 已安装)
θ
ja
625 °c/w
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–65 至 +150 °C
最大值 温度 用于 焊接 目的
t
l
260 °C
时间 入点 焊料 浴缸 10
设备 标记 和 电阻 数值
设备 标记 r1 (k) r2 (k)
MUN2211RT1 8一个 10 10
MUN2212RT1 8B 22 22
MUN2213RT1 8C 47 47
MUN2214RT1 8D 10 47
MUN2215RT1
(2)
8E 10
MUN2216RT1
(2)
8F 4.7
MUN2230RT1
(2)
8G 1.0 1.0
MUN2231RT1
(2)
8H 2.2 2.2
MUN2232RT1
(2)
8J 4.7 4.7
MUN2233RT1
(2)
8K 4.7 47
MUN2234RT1
(2)
8L 22 47
1. 设备 已安装 开启 一个 右前-4 玻璃 环氧树脂 已打印 电路 板 使用 这 最小值 推荐 占地面积.
2. 新建 设备. 已更新 曲线 至 跟着 入点 后续 数据 床单.
MUN2211RT1
MUN2212RT1
MUN2213RT1
MUN2214RT1
MUN2215RT1
MUN2216RT1
MUN2230RT1
MUN2231RT1
MUN2232RT1
MUN2233RT1
MUN2234RT1
1
3
2
案例 318–03 , 风格 1
( sc – 59 )
偏差 电阻 晶体管
R1
R2
PIN3
收集器
(输出)
PIN2
底座
(输入)
PIN2
发射器
(接地)
8
npn 硅
偏差 电阻
晶体管
8
npn 硅 表面 安装 晶体管 与
单片 偏差 电阻 网络
这个 新建 系列 的 数字 晶体管 是 设计 至 更换 一个 单独 设备 和 其
外部 电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻 晶体管) 包含 一个 单独
晶体管 与 一个 单片 偏差 网络 由 的 两个 电阻; 一个 系列 底座
电阻 和 一个 base–emitter 电阻. 这 brt 消除 这些 个人 组件 由
集成 他们 进入 一个 单独 设备. 这 使用 的 一个 brt 可以 减少 两者都有 系统 成本 和
板 空间. 这 设备 是 已安置 入点 这 sc–59 包装 哪个 是 设计 用于 低
电源 表面 安装 应用程序.
• 简化了 电路 设计
• 减少 板 空间
• 减少 组件 计数
• 这 sc–59 包装 可以 是 焊接 使用 波浪 或 回流.
这 已修改 gull–winged 导联 吸收 热 应力 期间
焊接 消除 这 可能性 的 损伤 至 这 模具.
• 可用 入点 8 mm 压花 胶带 和 卷轴
使用 这 设备 号码 至 订单 这 7 英寸/3000 单位 卷轴.
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