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资料编号:493387
 
资料名称:MV209
 
文件大小: 146.3K
   
说明
 
介绍:
Silicon Epicap Diode
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号MV209的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 收音机 公司, 有限公司.
mbv109. mmbv109*. mv209*
–1/2
1
3
2
设计 用于 概述 频率 控制 和 调谐 应用程序;
提供 solid–state 可靠性 入点 更换 的 机械 调谐
方法.
• 高 q 与 保证 最小值 数值 在 vhf 频率
• 受控 和 制服 调谐 比率
• 可用 入点 表面 安装 包装
硅 epicap 二极管
3
阴极
1
阳极
最大值 右一个tings
评级 符号 单位
MBV109T1 MMBV109LT1 MV209
反向 电压 v
30 Vdc
f
200 mAdc
设备 耗散 p
d
@T
一个
= 25°c 280 200 200 mW
降额 以上 25°c 2.8 2.0 1.6 mw/°c
接合点 温度 t
j
+125 °C
存储 温度 范围 t
stg
–55 至 +150 °C
设备 标记
mbv109t1= j4a, mmbv109lt1 =m4a, mv209 = mv209
电气 特性
(t
一个
=25°c 除非 否则 已注明)
特性 符号 最小 典型值 最大值 单位
反向 击穿 电压
v
(br)右
30 Vdc
( 我
= 10
µ
adc)
反向 电压 泄漏 电流
0.1 mAdc
( v
= 25vdc)
二极管 电容 温度 系数
tc
c
300 ppm/°c
(v
= 3.0 vdc, f = 1.0 mhz)
设备 类型 最小 nom 最大值 最小 最小 最大值
mbv109t1, mmbv109lt1, mv209
26 29 32 200 5.0 6.5
1. c
是 这 比率 的 c
t
已测量 在 3 v 直流 分割 由 c
t
已测量 在 25 vdc.
MMBV109LT1
是 也 可用 入点 散装 包装. 使用
MMBV109L
作为 这 设备 标题 至 订单 这个 设备 入点 散装.
c
t
二极管 电容
v
=3.0vdc, f =1.0mhz
p f
q, 图 的
优点
v
= 3.0vdc
f = 50mhz
c
右,
电容
比率
c
3
/ c
25
f=1.0mhz (备注 1)
MMBV109LT1
MBV109T1
MV209
案例 318–08, 风格 6
sot– 23 (to–236ab)
26–32 pf
电压 变量
电容 二极管
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