mw4ic915nbr1 mw4ic915gnbr1 mw4ic915mbr1 mw4ic915gmbr1
1
rf 设备 数据
飞思卡尔 半导体
rf ldmos 宽带 综合
电源 放大器
这 mw4ic915mb/gmb 宽带 综合 电路 是 设计 用于 gsm
和 gsm 边缘 底座 车站 应用程序. 它 用途 飞思卡尔’s 最新 高
电压 (26 至 28 伏特) ldmos 集成电路 技术 和 集成 一个 多
−
舞台
结构.其 宽带 开启
−
芯片 设计 使 它 可用 从 750 至 1000 mhz.
这 线性度 演出 盖子 全部 调制 用于 细胞 应用程序: gsm,
gsm 边缘, tdma, n
−
cdma 和 w
−
cdma.
决赛 应用程序
•
典型 业绩: v
dd
= 26 伏特, 我
DQ1
= 60 ma, 我
DQ2
= 240 ma,
p
出点
= 15 瓦特 cw, 已满 频率 乐队 (860
−
960 mhz)
电源 增益 — 30 db
电源 已添加 效率 — 44%
驾驶员 应用程序
•
典型 gsm/gsm 边缘 演出: v
dd
= 26 伏特, 我
DQ1
= 60 ma,
我
DQ2
= 240 ma, p
出点
= 3 瓦特 平均值., 已满 频率 乐队 (869
−
894 mhz
和 921
−
960 mhz)
电源 增益 — 31 db
电源 已添加 效率 — 19%
光谱 regrowth @ 400 khz 偏移量 =
−
65 dbc
光谱 regrowth @ 600 khz 偏移量 =
−
83 dbc
evm — 1.5%
•
有能力 的 搬运 5:1 vswr, @26vdc, 921 mhz,15
瓦特 cw
输出 电源
•
表征 与 系列 等效 大型
−
信号 阻抗 参数
•
开启
−
芯片 匹配 (50 欧姆 输入, 直流 已阻塞, >3 欧姆 output)
•
综合 静态 电流 温度 补偿 与
启用/禁用 功能
•
开启
−
芯片 电流 镜子 g
m
参考 场效应晶体管 用于 自我 偏置 应用程序
(1)
•
综合 esd 保护
•
n 后缀 表示 铅
−
免费 终端
•
200
°
c 有能力 塑料 包装
•
也 可用 入点 海鸥 机翼 用于 表面 安装
•
入点 胶带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 按 44 mm, 13 英寸 卷轴.
1. 参考 至 an1987/d,
静态 电流 控制 用于 这 rf 综合 电路 设备 家庭.
走 至 http://www.飞思卡尔.com/rf.
选择 文档/应用程序 备注
−
an1987.
MW4IC915
rev. 5, 3/2005
飞思卡尔 半导体
技术类 数据
860
−
960 mhz, 15 w, 26 v
gsm/gsm 边缘, n
−
CDMA
rf ldmos 宽带
综合 电源 放大器
案例 1329
−
09
至
−
272 wb
−
16
塑料
mw4ic915nbr1(mbr1)
MW4IC915NBR1
MW4IC915GNBR1
MW4IC915MBR1
MW4IC915GMBR1
案例 1329a
−
03
至
−
272 wb
−
16 海鸥
塑料
mw4ic915gnbr1(gmbr1)
图 1. 功能 块 图表 图 2. 管脚 连接
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备注: 暴露 背面 旗子 是 来源
终端 用于 晶体管.
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飞思卡尔 半导体, 股份有限公司., 2005. 全部 权利 保留.
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