技术的 数据
npn 切换 硅 晶体管
qualified 每 mil-PRF-19500/251
设备 qualified 水平的
2N2218
2N2218A
2N2218AL
2N2219
2N2219A
2N2219AL
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
最大 比率
比率 标识
2N2218
2N2219
2n2218a; l
2n2219a;L
单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
30 50 Vdc
集电级-根基 电压
V
CBO
60 75 Vdc
发射级-根基 电压
V
EBO
5.0 6.0 Vdc
集电级 电流
I
C
800 mAdc
总的 电源 消耗@ t
一个
= +25
0
C
(1)
@ t
C
= +25
0
C
(2)
P
T
0.8
3.0
W
W
运行 &放大; 存储 接合面 温度 范围
T
运算
,
T
stg
-55 至 +200
0
C
热的 特性
特性 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面-至-情况
R
θ
JC
59
0
c/w
1) 减额 成直线地 4.6 mw/
0
c 在之上 t
一个
> +25
0
C
2) 减额 成直线地 17.0 mw/
0
c 在之上 t
C
> +25
0
C
至-39* (至-205ad)
2n2218, 2n2218a
2n2219, 2n2219a
至-5*
2n2218al,
2N2219AL
*see 附录 一个 为
包装 外形
电的 特性 (t
一个
= 25
0
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 最大值 单位
止特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
E
= 10 madc2n2218; 2n2219
2n2218a; l; 2n2219a; l
V
(br)ceo
30
50
Vdc
发射级-根基 截止 电流
V
EB
= 5.0 vdc2n2218; 2n2219
V
EB
= 6.0 vdc2n2218a; l; 2n2219a; l
V
EB
= 4.0 vdc所有 类型s
I
EBO
10
10
10
µ
模数转换器
η
模数转换器
集电级-根基 截止 电流
V
CE
= 30 vdc2n2218; 2n2219
V
CE
= 50 vdc2n2218a; l; 2n2219a; l
I
CES
10
10
η
模数转换器
6 lake 街道, lawrence, 毫安 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
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