技术的 数据
硅 控制 整流器
qualified 每 mil-PRF-19500/276
设备 Qualified
水平的
2N2323
2N2323S
2N2323A
2N2323AS
2N2324
2N2324S
2N2324A
2N2324AS
2N2326
2N2326S
2N2326A
2N2326AS
2N2328
2N2328S
2N2328A
2N2328AS
2N2329
2N2329S
JAN
JANTX
JANTXV
最大 比率
比率 Sym
2n2323,s/
2n2323a,s
2n2324,s/
2n2324a,s
2n2326,s/
2n2326a,s
2n2328,s/
2n2328a,s
2n2329,s单位
反转 电压 V
RM
50 100 200 300 400 Vdc
working 顶峰 反转 电压 V
RM
75 150 300 400 500 Vpk
Forward blocking 电压 V
FBXM
50
(3/4)
100
(3/4)
200
(3/4)
300
(3/4)
400
(3)
Vpk
平均 向前 电流
(1)
I
O
0.22 模数转换器
向前 电流 surge 顶峰
(2)
I
FSM
15 模数转换器
Cathode-门 电流 V
KGM
6 Vpk
运行 温度 T
运算
-65 至 +125
0
C
存储 接合面 temp T
stg
-65 至 +150
0
C
1)这个 平均 向前 电流 是 为 一个 包围的 温度 的 80
0
c 和 180 电的 degrees 的
传导.
2)surge 电流 是 非-recurrent. 这 比率 的 上升 的 顶峰 surge 电流 将要 不 超过 40 一个 在
这 第一 5
µ
s 之后切换 从 这 ‘off’ (blocking) 至 这 ‘on’ (组织) state. 这个 是 量过的
从 这 要点 在哪里 这 thyristor 电压 有 decayed 至 90% 的 它的 最初的 blocking 值.
3)门 连接 至 cathode 通过 1,000 ohm 电阻.
4)门 连接 至 cathode 通过 2,000 ohm 电阻.
至-5
*see 附录 一个
为 包装 外形
电的 特性
特性
标识 最小值 最大值 单位
subgroup 2 测试
反转 blocking 电流
R
2
= 1 k
µ
2n2323 thru 2n2329
2n2323s thru 2n2329s
R
2
= 2k
µ
2n2323a thru 2n2328a
2n2323as thru 2n2328as
V
R
= 50 vdc2n2323, s, 一个, 作
V
R
= 100 vdc2n2324, s, 一个, 作
V
R
= 200 vdc2n2326, s, 一个, 作
V
R
= 300 vdc2n2328, s, 一个, 作
V
R
= 400 vdc2n2329, s,
I
RBX1
10
µ
模数转换器
6 lake 街道, lawrence, 毫安 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
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