技术的 数据
unitized 双 npn 硅 晶体管
qualified 每 mil-PRF-19500/270
设备 qualified 水平的
2N2060
2N2060L
JAN
JANTX
JANTXV
最大 比率
比率 标识 2N2060 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
60 Vdc
集电级-根基电压
V
CBO
100 Vdc
发射级-根基 电压
V
EBO
7.0 Vdc
集电级 电流
I
C
500 mAdc
一个
部分
两个都
Sections
总的 电源 消耗@ t
一个
= +25
0
C
(1)
@ t
C
= +25
0
C
(2)
P
T
540
1.5
600
2.12
mW
W
运行 &放大;存储 接合面 温度 范围
T
J
,
T
stg
-65 至 +200
0
C
1) 减额 成直线地 3.08 mw/
0
c 为 t
一个
> 25
0
c 为 一个 部分, 3.48 mw/
0
c 为 两个都 sections
2) 减额 成直线地 8.6 mw/
0
c 为 t
C
> 25
0
c 为 一个 部分, 12.1 mw/
0
c 为 两个都 sections
至-78*
*看 附录 一个 为
包装 外形
电的 特性 (t
一个
= +25
0
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级-发射级 损坏 电压
(3)
R
是
≤
10
Ω
, i
C
= 10 madc
V
(br)
CER
80 Vdc
集电级-Emitter 损坏 电压
I
C
= 30 madc
V
(br)
CEO
60 Vdc
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 100 vdc
V
CB
= 80 vdc
I
CBO
10
2.0
µ
模数转换器
η
模数转换器
发射级-根基 截止 电流
V
EB
= 7.0 vdc
V
EB
= 5.0 vdc
I
EBO
10
2.0
µ
模数转换器
η
模数转换器
6 lake 街道,lawrence, 毫安 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
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