技术的 数据
pnp 切换 硅 晶体管
qualified 每 mil-PRF-19500/396
设备 qualified 水平的
2N3762
2N3762L
2N3763
2N3763L
2N3764 2N3765
JAN
JANTX
JANTXV
最大 比率
比率 标识
2N3762*
2N3764
2N3763*
2N3765
单位
Collect或者-发射级 电压
V
CEO
40 60 Vdc
集电级-根基 电压
V
CBO
40 60 Vdc
发射级-根基 电压
V
EBO
5.0 Vdc
集电级 电流
I
C
1.5 模数转换器
2N3762*
1
2N3763*
2N3764
2
2N3765
总的 电源 消耗 @ t
一个
= +25
0
C
P
T
1.0 0.5 W
运行 &放大; 存储 六月ction 温度 范围
T
运算
,
T
stg
-55 至 +200
0
C
热的 特性
特性
标识 最大值 单位
2N3762*
2N3763*
2N3764
2N3765
热的 阻抗 接合面-至-情况
R
θ
JC
60 88
0
c/w
*electrical 特性 为 “l” 后缀 设备 是 完全同样的至 这 “non l” 相应的 设备
1) 减额 成直线地 在 5.71 mw/
0
c 为 t
一个
> +25
0
C
2) 减额 成直线地 在 2.86 mw/
0
c 为 t
一个
> +25
0
C
至-39* (至-205ad)
2n3762, 2n3763
至-5*
2n3762l, 2n3763l
至-46* (至-206ab)
2n3764, 2n3765
*see 附录 一个 为
package 外形
电的 特性 (t
一个
= 25
0
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级-发射级 损坏 电流
I
C
= 10 madc2n3762, 2n3764
2n3763, 2n3765
V
(br)
CEO
40
60
Vdc
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 20 vdc2n3762, 2n3764
V
CB
= 30 vdc2n3763, 2n3765
V
CB
= 40 vdc2n3762, 2n3764
V
CB
= 60 vdc2n3763, 2n3765
I
CBO
100
100
10
10
η
模数转换器
µ
模数转换器
6 lake 街道, lawrence, 毫安 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
120101
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