1997 微芯 技术 公司
初步的
ds40143b-页 1
设备 包含 在 这个 数据 薄板:
涉及 至 collectively 作 pic16c55x(一个).
• PIC16C554 PIC16C554A
PIC16C556A
• PIC16C558 PIC16C558A
高 效能 risc cpu:
• 仅有的 35 说明 至 学习
• 所有 单独的-循环 说明 (200 ns), 除了 为
程序 分支 这个 是 二-循环
• 运行 速:
- 直流 - 20 mhz 时钟 输入
- 直流 - 200 ns 操作指南 循环
• 中断 能力
• 16 特定的 函数 硬件 寄存器
• 8-水平的 深的 硬件 堆栈
• 直接, 间接的 和 相关的 寻址 模式
附带的 特性:
• 13 i/o 管脚 和 单独的 方向 控制
• 高 电流 下沉/源 为 直接 led 驱动
• timer0: 8-位 计时器/计数器 和 8-位
可编程序的 预分频器
特定的 微控制器 特性:
• 电源-在 重置 (por)
• 电源-向上 计时器 (pwrt) 和 振荡器 开始-向上
计时器 (ost)
• 看门狗 计时器 (wdt) 和 它的 自己的 在-碎片 rc
振荡器 为 可依靠的 运作
设备 程序
记忆
数据
记忆
PIC16C554 512 80
PIC16C554A 512 80
PIC16C556A 1K 80
PIC16C558 2K 128
PIC16C558A 2K 128
管脚 图解
特定的 微控制器 特性 (内容’d)
• 可编程序的 代号 保护
• 电源 节省 睡眠 模式
• 可选择的 振荡器 选项
• 串行 在-电路 程序编制 (通过 二 管脚)
• 四 用户 可编程序的 id locations
cmos 技术:
• 低-电源, 高-速 cmos 非易失存储器 技术
• 全部地 静态的 设计
• 宽 运行 电压 范围
- 2.5v 至 5.5v pic16c55x
- 3.0 至 5.5v pic16c55xa
• 商业的, 工业的 和 扩展 tempera-
ture 范围
• 低 电源 消耗量
- < 2.0 毫安 @ 5.0v, 4.0 mhz
- 15
µ
一个 典型 @ 3.0v, 32 khz
- < 1.0
µ
一个 典型 备用物品 电流 @ 3.0v
RA1
RA0
osc2/clkout
V
DD
RB7
RB6
RB5
RB4
osc1/clkin
RA2
RA3
MCLR
V
SS
rb0/int
RB1
RB2
RB3
ra4/t0cki
RA1
RA0
osc2/clkout
V
DD
RB7
RB6
RB5
RB4
osc1/clkin
RA2
RA3
MCLR
V
SS
V
SS
rb0/int
RB1
RB2
ra4/t0cki
pic16c55x(一个)
RB3RB3
V
DD
pdip, soic, windowed cerdip
SSOP
2
3
4
5
6
7
8
9
10
•1
2
3
4
5
6
7
8
9
•1
19
18
16
15
14
13
12
11
17
18
17
15
14
13
12
11
10
16
20
pic16c55x(一个)
非易失存储器-为基础 8-位 cmos 微控制器
pic16c55x(一个)
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