1/22april 2002
m29f002bt, m29f002bnt
m29f002bb, m29f002bnb
2 mbit (256kb x8, 激励 块) 单独的 供应 flash 记忆
■
单独的 5v ± 10% 供应 电压 为
程序, 擦掉 和 读 行动
■
进入 时间: 45 ns
■
程序编制 时间
– 8 µs 用 字节 典型
■
7 记忆 blocks
– 1 激励 块 (顶 或者 bottom location)
– 2 参数 和 4 主要的 blocks
■
程序/擦掉 控制
– embedded 字节 程序 algorithm
– embedded multi-块/碎片 擦掉 algorithm
– 状态 寄存器 polling 和 toggle 位
■
擦掉 suspend 和 重新开始 模式
– 读 和 程序 另一 块 在
擦掉 suspend
■
unlock 绕过 程序 command
– faster 生产/批 程序编制
■
temporary 块 unprotection
模式
■
低 电源 消耗量
– 备用物品 和 自动 备用物品
■
100,000 程序/擦掉 循环 每
块
■
20 年 数据 保持
– defectivity 在下 1 ppm/年
■
电子的 signature
– 生产者 代号: 20h
– 顶 设备 代号 m29f002bt: b0h
– 顶 设备 代号 m29f002bnt: b0h
– bottom 设备 代号 m29f002bb: 34h
– bottom 设备 代号 m29f002bnb: 34h
32
1
tsop32 (n)
8 x 20mm
plcc32 (k)
pdip32 (p)
图示 1. 逻辑 图解
AI02957B
18
a0-a17
W
dq0-dq7
V
CC
M29F002BT
M29F002BB
M29F002BNT
M29F002BNB
E
V
SS
8
G
RP
: 点此下载
