April1996
NDP6060L/ ndb6060l
n通道逻辑 水平 增强功能 模式 字段 效果 晶体管
概述 描述 特点
________________________________________________________________________________
绝对 最大值 额定值
t
c
= 25°c 除非 否则 已注明
符号 参数 NDP6060L NDB6060L 单位
v
DSS
漏源 电压 60 v
v
DGR
漏极-栅极 电压 (右
gs
&指示灯;1 m
Ω
)
60 v
v
GSS
栅极-源极 电压- 连续 ± 16 v
- 非重复性 (t
p
&指示灯; 50 µs)
± 25
我
d
排水管 电流 - 连续 48 一个
- 脉冲 144
p
d
合计 电源 耗散 @ t
c
= 25
°
c 100 w
降额 以上 25
°
c 0.67 w/
°
c
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度 -65 至 175 °C
t
l
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 1/8" 从 案例 用于 5 秒
275 °C
ndp6060l rev. d / ndb6060l rev. e?
这些 逻辑 水平 n通道 增强功能 模式 电源
字段 效果 晶体管 是 生产 使用 仙童's
专有, 高 细胞 密度, dmos 技术. 这个
很 高 密度 流程 有 被 尤其是 量身定制 至
最小化 开启状态 电阻, 提供 上级 开关
业绩, 和 承受 高 能源 脉冲 入点 这
雪崩 和 换向 模式. 这些 设备 是
特别是 适合 用于 低 电压 应用程序 这样的 作为
汽车, 直流/直流 转换器, pwm 电机 控件,
和 其他 蓄电池 通电 电路 在哪里 快 开关,
低 在线 电源 损失, 和 电阻 至 瞬变 是
需要.
48a, 60v. 右
ds(开启)
= 0.025
Ω
@ v
gs
= 5v.
低 驱动器 要求 允许 操作 直接 从 逻辑
驱动程序. v
gs(th)
&指示灯; 2.0v.
关键 直流 电气 参数 指定 在 高架
温度.
坚固耐用 内部 源极-漏极 二极管 可以 消除 这 需要
用于 一个 外部 齐纳 二极管 瞬态 抑制器.
175°c 最大值 接合点 温度 评级.
高 密度 细胞 设计用于 极其 低 右
ds(开启)
.
至-220 和 至-263 (d
2
pak) 包装 用于 两者都有 通过 孔
和 表面 安装 应用程序.
s
d
g
© 1997 仙童 半导体 公司
: 点此下载
