九月1996
NDS356Ap
p-频道逻辑 水平 增强功能 模式 字段 效果 晶体管
概述 描述 特点
________________________________________________________________________________
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明
符号 参数 NDS356Ap 单位
v
DSS
漏源 电压 -30 v
v
GSS
栅极-源极 电压- 连续 ±20 v
我
d
最大值 排水管 电流 - 连续(备注 1a) ±1.1 一个
- 脉冲 ±10
p
d
最大值电源 耗散(备注 1a) 0.5 w
(备注 1b)
0.46
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境(备注 1a) 250 °c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体(备注 1) 75 °c/w
nds356ap rev.c1
SuperSOT
tm
-3p-channel 逻辑 水平 增强功能 模式
电源 字段 效果 晶体管 是 生产 使用 仙童's
专有, 高 细胞 密度, dmos 技术. 这个 很 高
密度 流程 是 尤其是 量身定制 至 最小化 开启状态
电阻.这些 设备 是 特别是 适合 用于 低 电压
应用程序 这样的 作为 笔记本 计算机 电源 管理,
便携式 电子产品,和 其他 蓄电池 通电 电路 在哪里
快 高侧 开关, 和 低 在线 电源 损失是
需要 入点 一个 很 小 大纲 表面 安装 包装.
-1.1一个, -30 v, 右
ds(开启)
= 0.3
Ω
@ v
gs
=-4.5v
右
ds(开启)
= 0.2
Ω
@ v
gs
=-10v.
行业 标准 大纲 sot-23 表面 安装 包装
使用 专有 supersot
tm
-3 设计 用于 上级
热 和 电气 能力.
高 密度 细胞 设计用于 极其 低 右
ds(开启)
.
例外 导通电阻 和 最大值 直流 电流
能力.
d
s
g
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